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公开(公告)号：CN114981952A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008308.9
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 姚雅宽 , 赖一鸣 , 吴凯 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 凯文·卡舍菲 , 雷雨 , 董琳 , 任河 , 徐翼 , 梅裕尔·奈克 , 陈浩 , 凌芒芒
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN119563231A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380053732.4
申请日：2023-07-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 执行用于从基板表面清洁氧化物的方法，而不影响基板上的低k介电材料或碳材料。在一些实施方式中，此方法可包含在生产线后段(BEOL)工艺中使用基于氯的浸泡来执行预清洁工艺以从基板的表面去除氧化物，并且使用远程等离子体由氢气及至少一种惰性气体来处理基板的表面以从基板的表面去除残留的氯残留物，而不损伤基板上的低k介电材料或碳材料。
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公开(公告)号：CN118382911A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280079254.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 提供用于预清洁基板的方法。上方具有氧化钨(WOx)的基板被浸泡在氟化钨(WF6)中，氟化钨(WF6)将氧化钨(WOx)还原成钨(W)。随后，用氢处理此基板，例如，等离子体处理或热处理，以减少存在的氟含量，使得氟不侵入下方绝缘层。
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公开(公告)号：CN118824944A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410478054.2
申请日：2024-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 谢祥金 , 迈克尔·哈维蒂 , 凯文·卡舍菲 , 马克·沙丽 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体元件的方法。在一些实施例中，在沉积阻挡层之前将阻障层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻障分子，例如含硼化合物，以在氧化铝表面或氮化铝表面中的一个和电介质表面上方的金属表面上选择性地形成阻障层。
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公开(公告)号：CN118588634A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410239566.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 谢祥金 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 , 艾伦·丹格菲尔德 , 迈克尔·哈维蒂 , 马克·沙丽 , 凯文·卡舍菲
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体装置的方法。在一些实施方式中，在沉积阻挡层之前将阻碍层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻碍分子，以相对于氧化铝表面或氮化铝表面中的一者以及电介质表面在金属表面上选择性地形成阻碍层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118476015A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280085939.5
申请日：2022-12-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 凯文·卡舍菲 , 乔尔·明斯特·休斯顿 , 迈克尔·李·麦克斯维尼 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 金龙珍 , 德鲁·威廉·菲利普 , 马克·约瑟夫·萨利
IPC: H01L21/67 , B05D1/00 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于自组装单层(SAM)沉积的方法及设备。在一些实施方式中，用于自组装单层(SAM)沉积的设备包括：腔室，围住处理容积；基板支撑件，设置在腔室中且被配置为支撑处理容积中的基板；气体分配系统，耦接至腔室且被配置为将处理气体分配到处理容积中；第一SAM前驱物源，流体地耦接至气体分配系统以提供第一SAM前驱物作为处理气体的一部分；及第二SAM前驱物源，流体地耦接至气体分配系统以提供第二SAM前驱物作为处理气体的一部分，第二SAM前驱物不同于第一SAM前驱物，其中第一与第二SAM前驱物源可被独立地控制以控制处理气体中第一与第二SAM前驱物关于彼此的相对百分比。
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公开(公告)号：CN118737950A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410365881.0
申请日：2024-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 形成微电子元件的方法包括在基板上形成电介质层，电介质层包括限定包括侧壁和底部的间隙的至少一个特征结构。这些方法包括在间隙的底部上选择性沉积第一自组装单层(SAM)；在电介质层上形成阻挡层；在阻挡层上和间隙的底部上选择性沉积第二自组装单层(SAM)；用等离子体处理微电子元件以去除第二自组装单层(SAM)的第一部分；在侧壁上的阻挡层上选择性沉积金属衬垫；去除第二自组装单层(SAM)的第二部分；以及在金属衬垫上执行间隙填充工艺。
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公开(公告)号：CN117882184A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058565.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层(SAM)，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之后移除SAM。
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公开(公告)号：CN116917534A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016683.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡门·莱尔·塞万提斯 , 金龙珍 , 凯文·卡舍菲
IPC: C23C16/04
Abstract: 公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻隔层，在第二表面上选择性地沉积膜，并去除阻隔层。
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公开(公告)号：CN115039216A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180010976.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/32 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/285
Abstract: 公开了用于形成反向选择性蚀刻终止层的方法和装置。本公开内容的一些实施方式提供了比利用非选择性(例如，毯覆)蚀刻终止层的方法具有更低电阻的互连件。本公开内容的一些实施方式在减法蚀刻方案中利用反向选择性蚀刻终止层。本公开内容的一些实施方式通过钝化金属材料的表面来选择性地沉积蚀刻终止层。
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