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公开(公告)号:CN118737950A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410365881.0
申请日:2024-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 形成微电子元件的方法包括在基板上形成电介质层,电介质层包括限定包括侧壁和底部的间隙的至少一个特征结构。这些方法包括在间隙的底部上选择性沉积第一自组装单层(SAM);在电介质层上形成阻挡层;在阻挡层上和间隙的底部上选择性沉积第二自组装单层(SAM);用等离子体处理微电子元件以去除第二自组装单层(SAM)的第一部分;在侧壁上的阻挡层上选择性沉积金属衬垫;去除第二自组装单层(SAM)的第二部分;以及在金属衬垫上执行间隙填充工艺。