公开(公告)号：CN118737950A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410365881.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑嘉杰 ,  凯文·卡舍菲 ,  吴智远 ,  周扬 ,  金龙珍 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  瞿舸 ,  琚正

IPC: H01L21/768

Abstract: 形成微电子元件的方法包括在基板上形成电介质层，电介质层包括限定包括侧壁和底部的间隙的至少一个特征结构。这些方法包括在间隙的底部上选择性沉积第一自组装单层(SAM)；在电介质层上形成阻挡层；在阻挡层上和间隙的底部上选择性沉积第二自组装单层(SAM)；用等离子体处理微电子元件以去除第二自组装单层(SAM)的第一部分；在侧壁上的阻挡层上选择性沉积金属衬垫；去除第二自组装单层(SAM)的第二部分；以及在金属衬垫上执行间隙填充工艺。

公开(公告)号：CN117882184A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058565.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 瞿舸 ,  吴智远 ,  陈枫 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  金龙珍 ,  凯文·卡舍菲 ,  唐先民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层(SAM)，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之后移除SAM。