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公开(公告)号：CN115004354A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180011369.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡门·莱尔·塞万提斯 , 亚历山大·詹森 , 谢祥金
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 一种清洁基板的表面的方法使用醇处置和水处置。所述方法可包括在基板的表面上施加醇处置，其中醇处置配置成提供表面还原；和将水处置施加至基板的表面，其中水处置配置成通过从表面的至少一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强基板的表面的至少一部分的选择性。水处置可与醇处置同时实行，或在醇处置之后实行。水处置可包括注入至等离子体中的汽化的水或水，以产生氢或氧自由基。
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公开(公告)号：CN118737950A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410365881.0
申请日：2024-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 形成微电子元件的方法包括在基板上形成电介质层，电介质层包括限定包括侧壁和底部的间隙的至少一个特征结构。这些方法包括在间隙的底部上选择性沉积第一自组装单层(SAM)；在电介质层上形成阻挡层；在阻挡层上和间隙的底部上选择性沉积第二自组装单层(SAM)；用等离子体处理微电子元件以去除第二自组装单层(SAM)的第一部分；在侧壁上的阻挡层上选择性沉积金属衬垫；去除第二自组装单层(SAM)的第二部分；以及在金属衬垫上执行间隙填充工艺。
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公开(公告)号：CN117882184A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058565.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层(SAM)，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之后移除SAM。
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公开(公告)号：CN116917534A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016683.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡门·莱尔·塞万提斯 , 金龙珍 , 凯文·卡舍菲
IPC: C23C16/04
Abstract: 公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻隔层，在第二表面上选择性地沉积膜，并去除阻隔层。
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公开(公告)号：CN118824944A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410478054.2
申请日：2024-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 谢祥金 , 迈克尔·哈维蒂 , 凯文·卡舍菲 , 马克·沙丽 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体元件的方法。在一些实施例中，在沉积阻挡层之前将阻障层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻障分子，例如含硼化合物，以在氧化铝表面或氮化铝表面中的一个和电介质表面上方的金属表面上选择性地形成阻障层。
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公开(公告)号：CN118588634A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410239566.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 谢祥金 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 , 艾伦·丹格菲尔德 , 迈克尔·哈维蒂 , 马克·沙丽 , 凯文·卡舍菲
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体装置的方法。在一些实施方式中，在沉积阻挡层之前将阻碍层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻碍分子，以相对于氧化铝表面或氮化铝表面中的一者以及电介质表面在金属表面上选择性地形成阻碍层。
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公开(公告)号：CN118476015A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280085939.5
申请日：2022-12-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 凯文·卡舍菲 , 乔尔·明斯特·休斯顿 , 迈克尔·李·麦克斯维尼 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 金龙珍 , 德鲁·威廉·菲利普 , 马克·约瑟夫·萨利
IPC: H01L21/67 , B05D1/00 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于自组装单层(SAM)沉积的方法及设备。在一些实施方式中，用于自组装单层(SAM)沉积的设备包括：腔室，围住处理容积；基板支撑件，设置在腔室中且被配置为支撑处理容积中的基板；气体分配系统，耦接至腔室且被配置为将处理气体分配到处理容积中；第一SAM前驱物源，流体地耦接至气体分配系统以提供第一SAM前驱物作为处理气体的一部分；及第二SAM前驱物源，流体地耦接至气体分配系统以提供第二SAM前驱物作为处理气体的一部分，第二SAM前驱物不同于第一SAM前驱物，其中第一与第二SAM前驱物源可被独立地控制以控制处理气体中第一与第二SAM前驱物关于彼此的相对百分比。
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公开(公告)号：CN114930519A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008890.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。
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