公开(公告)号：CN115210862A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180009152.6

申请日：2021-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈璐 ,  赛沙德利·甘古利 ,  柳尚澔 ,  陈枫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 本公开内容的多个实施方式涉及用于形成阻挡层的方法和材料，该阻挡层具有增进的阻挡性能和/或降低的过孔电阻。本公开内容的一些实施方式提供用于通过将金属表面暴露于金属络合物来钝化该金属表面的方法，该金属络合物包含有机配体，该有机配体具有至少三个碳原子和与中心金属原子η键结的双键或三键。一些实施方式提供过孔内的阻挡层，而实现了至少25％的电阻降低，这是由于具有等效阻挡性质的更薄的阻挡层所造成。

公开(公告)号：CN114946019A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008711.1

申请日：2021-07-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许文静 ,  陈枫 ,  河泰泓 ,  唐先敏 ,  陈璐 ,  吴智远

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了使用钌或掺杂钌衬垫和帽盖层的电子装置和形成电子装置的方法。具有钌层和钴层的衬垫形成在阻挡层上。导电填充物形成与第一导电线路接触的第二导电线路。

公开(公告)号：CN119678242A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380059220.9

申请日：2023-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄信宰 ,  陈枫 ,  穆图库马尔·卡利亚潘 ,  迈克尔·哈维

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 描述形成互连和电子装置的方法。形成互连的方法包括在基板上形成氮化钽层；在氮化钽层上形成钌层；和将氮化钽层和钌层暴露于包含氢(H2)和氩(Ar)的混合物的等离子体，以在其上形成钽掺杂的钌层。还描述用于执行所述方法的设备。

公开(公告)号：CN118676052A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410290725.2

申请日：2024-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴智远 ,  琚正 ,  陈枫

IPC: H01L21/768

Abstract: 公开了用于沉积超薄膜的方法。本公开内容的一些实施方式利用超薄膜作为阻挡层、衬垫层或成核层以减小互连电阻。一些实施方式有利地提供了厚度小于或等于约#imgabs0#的连续膜。一些实施方式有利地提供了粗糙度减小的膜。

公开(公告)号：CN116325120A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180068041.2

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伊·沙维夫 ,  苏克图·阿伦·帕里克 ,  陈枫 ,  陈璐

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文提供了通过在绝缘层上而不在金属表面上选择性地沉积阻挡层，来形成电阻降低的过孔的方法。本公开内容的一些实施方式利用平面烃在金属表面上形成阻拦层。执行沉积以选择性地沉积在未阻拦的绝缘表面上。

公开(公告)号：CN114981478A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009149.4

申请日：2021-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈璐 ,  克里斯蒂娜·L·恩格勒 ,  沈刚 ,  陈枫 ,  河泰泓 ,  唐先敏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 描述一种用于掺杂阻挡层的方法，所述阻挡层诸如，钽(Ta)、氮化钽(TaN)、碳化钽(TaC)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、锰(Mn)、氮化锰(MnN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)和氮化钼(MoN)、和类似者。掺杂剂可包括钌(Ru)、锰(Mn)、铌(Nb)、钴(Co)、钒(V)、铜(Cu)、铝(Al)、碳(C)、氧(O)、硅(Si)、钼(Mo)和类似者中的一种或多种。经掺杂的阻挡层以小于约的厚度提供了改良的粘附性。

公开(公告)号：CN117334636A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310800925.3

申请日：2023-06-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑嘉杰 ,  琚正 ,  陈枫 ,  杰弗里•W•安西斯 ,  本杰明·施密特

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了用于形成掺钌氮化铌阻挡层的方法。掺杂阻挡层在小于约的厚度下提供改善的粘附性。在一些实施方式中，本文公开的掺杂阻挡层提供改进的阻挡特性，包括更低的氮含量、更高的钌含量、更好的覆盖性、更薄的层或更低的线电阻。

公开(公告)号：CN114981926A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009162.X

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许文静 ,  沈刚 ,  呼宇飞 ,  陈枫 ,  河泰泓

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 本文说明选择性沉积的方法。此外，也说明包括氨等离子体预清洁处理的改善选择性的方法。在一些实施方式中，硅烷基胺用于在介电表面上选择性形成表面活性剂层。钌膜可接着选择性沉积在导电表面上。在一些实施方式中，氨等离子体从导电表面移除氧化物污染物而不会不利地影响介电表面。

公开(公告)号：CN114930519A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008890.9

申请日：2021-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢祥金 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  陈枫 ,  陈璐 ,  许文静 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  振雄·马修·蔡 ,  河泰泓 ,  亚历山大·詹森 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455

Abstract: 用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。

公开(公告)号：CN117882184A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058565.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 瞿舸 ,  吴智远 ,  陈枫 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  金龙珍 ,  凯文·卡舍菲 ,  唐先民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层(SAM)，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之后移除SAM。