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公开(公告)号：CN107208303A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006655.7
申请日：2016-01-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保罗·R·麦克休 , 格雷戈里·J·威尔逊 , 罗伊·沙维夫
CPC classification number: C25D17/008 , C25D5/00 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/12
Abstract: 电镀装置具有一或更多个环状膜管，这一或更多个环状膜管充当电场屏蔽件，以在工件的周边处提供有利的镀覆特性。这些环状膜管可用具有不同的传导性的流体填充，以如期望地改变屏蔽效应而用于电镀不同类型的基板。可选地，这些环状膜管可提供于该装置的容器中的扩散体板材中或上。
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公开(公告)号：CN104051336A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410099406.X
申请日：2014-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 罗伊·沙维夫 , 梅于尔·奈克
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。
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公开(公告)号：CN112740386A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980058944.5
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·勒纳 , 普拉沙斯·科斯努 , 罗伊·沙维夫 , 萨蒂什·拉德哈基什南
IPC: H01L21/67 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本文描述了用于向反应腔室供应蒸发反应物的设备的实施方案。在一些实施方式中，用于在基板上沉积多种材料的喷淋头组件包括多个气体输送部，每个气体输送部具有入口、界定气室的楔形体以及设置在气体输送部底表面上的多个开口，其中每个气室彼此流体地隔离。
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公开(公告)号：CN105280614B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510290709.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 迪米特里奥斯·阿吉里斯 , 塞尔达·阿克苏
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约‑0.5V至约‑4V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约1至约6的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层，所述阻挡层包含第一金属，所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势，以及所述种晶层包含第二金属，所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。
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公开(公告)号：CN108695244A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810331694.5
申请日：2014-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 罗伊·沙维夫 , 梅于尔·奈克
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。
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公开(公告)号：CN105575751A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510683974.9
申请日：2015-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 伊斯梅尔·T·埃迈什
IPC: H01J37/36
CPC classification number: H01L21/76873 , C23C14/5846 , C23C18/1653 , C25D5/34 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02068 , H01L21/6723 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L2221/1089 , H01J37/36
Abstract: 根据本公开内容一个实施例的一种电化学沉积镀覆工具，包括一个或多个电化学沉积腔室和氢自由基H*生成腔室。
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公开(公告)号：CN116325120A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180068041.2
申请日：2021-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 苏克图·阿伦·帕里克 , 陈枫 , 陈璐
IPC: H01L21/768
Abstract: 本文提供了通过在绝缘层上而不在金属表面上选择性地沉积阻挡层，来形成电阻降低的过孔的方法。本公开内容的一些实施方式利用平面烃在金属表面上形成阻拦层。执行沉积以选择性地沉积在未阻拦的绝缘表面上。
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公开(公告)号：CN112899735B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110150776.1
申请日：2015-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , C25D7/12 , C23C18/16 , H01L21/288 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。
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公开(公告)号：CN107208295B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201580075674.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D5/50 , C25D7/12 , C25D17/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 一种晶片电镀系统具有至少一个第一电镀腔室，所述第一电镀腔室具有含钴离子的第一电解质，并且适于以第一沉积速率电镀钴膜到晶片上。第二电镀腔室具有含钴离子的第二电解质，并且适于以第二沉积速率电镀钴膜到所述晶片上，所述第二沉积速率比所述第一沉积速率大。所述第一电镀腔室与第二电镀腔室处于处理系统的围壁内。机械手在所述第一电镀腔室与第二电镀腔室之间移动晶片。
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公开(公告)号：CN107208303B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201680006655.7
申请日：2016-01-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保罗·R·麦克休 , 格雷戈里·J·威尔逊 , 罗伊·沙维夫
Abstract: 电镀装置具有一或更多个环状膜管，这一或更多个环状膜管充当电场屏蔽件，以在工件的周边处提供有利的镀覆特性。这些环状膜管可用具有不同的传导性的流体填充，以如期望地改变屏蔽效应而用于电镀不同类型的基板。可选地，这些环状膜管可提供于该装置的容器中的扩散体板材中或上。
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