公开(公告)号：CN104051336A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410099406.X

申请日：2014-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫 ,  梅于尔·奈克

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。

公开(公告)号：CN105280614B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201510290709.4

申请日：2015-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伊·沙维夫 ,  伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  迪米特里奥斯·阿吉里斯 ,  塞尔达·阿克苏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约‑0.5V至约‑4V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约1至约6的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层，所述阻挡层包含第一金属，所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势，以及所述种晶层包含第二金属，所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。

公开(公告)号：CN108695244A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810331694.5

申请日：2014-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫 ,  梅于尔·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。

公开(公告)号：CN105575751A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510683974.9

申请日：2015-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伊·沙维夫 ,  伊斯梅尔·T·埃迈什

IPC: H01J37/36

CPC classification number: H01L21/76873 ,  C23C14/5846 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L2221/1089 ,  H01J37/36

Abstract: 根据本公开内容一个实施例的一种电化学沉积镀覆工具，包括一个或多个电化学沉积腔室和氢自由基H*生成腔室。

公开(公告)号：CN103426815B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201310150483.9

申请日：2013-04-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。

公开(公告)号：CN104241197A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410259232.9

申请日：2014-06-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明是在具有高薄层电阻的工件上的电化学沉积。一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一导电层沉积在部件中，其中第一导电层的薄层电阻大于10欧姆/方；通过电化学沉积将第二导电层沉积在部件中，其中电气接触件至少部分地浸没在沉积化学品中。

公开(公告)号：CN104051336B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201410099406.X

申请日：2014-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫 ,  梅于尔·奈克

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。

公开(公告)号：CN105274595A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510290730.4

申请日：2015-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伊·沙维夫 ,  伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  迪米特里奥斯·阿吉里斯 ,  塞尔达·阿克苏

IPC: C25D5/10

Abstract: 根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约-1V至约-6V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约6至约11的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层，所述阻挡层包含第一金属，所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势，以及所述种晶层包含第二金属，所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。

公开(公告)号：CN103426816A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310150489.6

申请日：2013-04-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  罗伯特·C·林克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 用于高深宽比填充的半导体反流处理，一种用于至少部分填充工件上的部件的方法包括以下步骤：获得包括部件的工件，所述部件具有在约10到约80的范围内的高深宽比；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。

公开(公告)号：CN103426815A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310150483.9

申请日：2013-04-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。