公开(公告)号：CN112899735B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202110150776.1

申请日：2015-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·W·莱姆 ,  伊斯梅尔·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC: C25D3/12 ,  C25D5/10 ,  C25D5/14 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  H01L21/288 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。

公开(公告)号：CN110233099B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910263027.2

申请日：2015-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·W·莱姆 ,  伊斯梅尔·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C18/16 ,  C25D3/12 ,  C25D5/10 ,  C25D5/14 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。

公开(公告)号：CN106104757A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013199.4

申请日：2015-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·W·莱姆 ,  伊斯梅尔·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC: H01L21/28

Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。

公开(公告)号：CN112899735A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110150776.1

申请日：2015-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·W·莱姆 ,  伊斯梅尔·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC: C25D3/12 ,  C25D5/10 ,  C25D5/14 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  H01L21/288 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。

公开(公告)号：CN110233099A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910263027.2

申请日：2015-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·W·莱姆 ,  伊斯梅尔·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C18/16 ,  C25D3/12 ,  C25D5/10 ,  C25D5/14 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1-50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。