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公开(公告)号：CN114144540A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052387.9
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·N·勒纳 , 罗伊·沙维夫 , 萨蒂什·拉德哈基什南
Abstract: 本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个区段，并且各个区段至少部分被屏蔽物环绕。
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公开(公告)号：CN112400222A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980039537.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L51/00 , H01L21/02 , H01L27/146 , C23C16/44
Abstract: 提供用于控制处理材料到沉积腔室的流动的方法和设备。在实施方式中，所述设备包括沉积腔室，沉积腔室通过一个或更多个输送管线而与一个或更多个升华器流体连通，其中一个或更多个升华器的每一者包括安瓿以及至少第一热源和第二热源，安瓿通过开口而与一个或更多个输送管线流体连通，其中第一热源为与安瓿相邻的辐射热源，且第二热源与开口相邻，其中一个或更多个输送管线包括在沉积腔室与一个或更多个升华器之间的一个或更多个导管，且其中一个或更多个导管包括一个或更多个阀门，以用于打开或关闭一个或更多个导管，其中处于打开位置的一个或更多个阀门防止处理材料流动进入沉积腔室，且其中处于关闭位置的一个或更多个阀门引导处理材料流动进入沉积腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114144540B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080052387.9
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·N·勒纳 , 罗伊·沙维夫 , 萨蒂什·拉德哈基什南
Abstract: 本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个区段，并且各个区段至少部分被屏蔽物环绕。
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公开(公告)号：CN118872024A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028005.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普拉哈拉德·艾扬格 , 迪里特曼·苏巴·卡希亚普 , 帕特·斯沃洛普 , 萨蒂什·拉德哈基什南
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 描述了双通道喷淋头组件。在一些实施方式中，包括喷淋头上板和喷淋头下板的双通道喷淋头组件使得能够沿着分离的通道输送相互不相容的前驱物，这些前驱物在晶片上方的处理区中混合。双通道喷淋头组件提供至少两个分离的气体路径。在一些实施方式中，孔洞设计和孔洞分布被配置以用于最小喷射效应和用于快速净化的气室容积。本文描述的双通道喷淋头组件相较于单通道喷淋头、螺旋双通道喷淋头、或接合的双通道喷淋头可具有减少的净化时间。
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公开(公告)号：CN113853449B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202080034861.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·N·勒纳 , 罗伊·沙威 , 普拉沙斯·科斯努 , 萨蒂什·拉德哈基什南 , 车小洲
IPC: C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本案描述的一个或多个实施方式大体上关于用于在半导体工艺中在基板上形成膜的方法和系统。在本案描述的实施方式中，处理系统包括各自包含在各别的安瓿中的不同材料。每种材料都经由加热的气体管线流入包含在处理腔室内的喷淋头的个别的部分。每种材料都从喷淋头流到位于旋转基座的表面上的基板上。控制从喷淋头流出的质量流率与基座的转速，有助于将具有所需材料微区尺寸的膜沉积在基板上。
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公开(公告)号：CN113853449A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080034861.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·N·勒纳 , 罗伊·沙威 , 普拉沙斯·科斯努 , 萨蒂什·拉德哈基什南 , 车小洲
IPC: C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本案描述的一个或多个实施方式大体上关于用于在半导体工艺中在基板上形成膜的方法和系统。在本案描述的实施方式中，处理系统包括各自包含在各别的安瓿中的不同材料。每种材料都经由加热的气体管线流入包含在处理腔室内的喷淋头的个别的部分。每种材料都从喷淋头流到位于旋转基座的表面上的基板上。控制从喷淋头流出的质量流率与基座的转速，有助于将具有所需材料微区尺寸的膜沉积在基板上。
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公开(公告)号：CN112740386A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980058944.5
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·勒纳 , 普拉沙斯·科斯努 , 罗伊·沙维夫 , 萨蒂什·拉德哈基什南
IPC: H01L21/67 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本文描述了用于向反应腔室供应蒸发反应物的设备的实施方案。在一些实施方式中，用于在基板上沉积多种材料的喷淋头组件包括多个气体输送部，每个气体输送部具有入口、界定气室的楔形体以及设置在气体输送部底表面上的多个开口，其中每个气室彼此流体地隔离。
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