公开(公告)号：CN113853449B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202080034861.5

申请日：2020-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 亚历山大·N·勒纳 ,  罗伊·沙威 ,  普拉沙斯·科斯努 ,  萨蒂什·拉德哈基什南 ,  车小洲

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

Abstract: 本案描述的一个或多个实施方式大体上关于用于在半导体工艺中在基板上形成膜的方法和系统。在本案描述的实施方式中，处理系统包括各自包含在各别的安瓿中的不同材料。每种材料都经由加热的气体管线流入包含在处理腔室内的喷淋头的个别的部分。每种材料都从喷淋头流到位于旋转基座的表面上的基板上。控制从喷淋头流出的质量流率与基座的转速，有助于将具有所需材料微区尺寸的膜沉积在基板上。

公开(公告)号：CN113853449A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202080034861.5

申请日：2020-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 亚历山大·N·勒纳 ,  罗伊·沙威 ,  普拉沙斯·科斯努 ,  萨蒂什·拉德哈基什南 ,  车小洲

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

Abstract: 本案描述的一个或多个实施方式大体上关于用于在半导体工艺中在基板上形成膜的方法和系统。在本案描述的实施方式中，处理系统包括各自包含在各别的安瓿中的不同材料。每种材料都经由加热的气体管线流入包含在处理腔室内的喷淋头的个别的部分。每种材料都从喷淋头流到位于旋转基座的表面上的基板上。控制从喷淋头流出的质量流率与基座的转速，有助于将具有所需材料微区尺寸的膜沉积在基板上。

公开(公告)号：CN109979819A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811567125.7

申请日：2018-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿米丽塔·B·莫里克 ,  伊斯梅尔·埃姆什 ,  乌迪·米特拉 ,  罗伊·沙威 ,  瑞加娜·弗雷德

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/14

Abstract: 公开了蚀刻钨的方法，所述方法包括：校平特征内和基板的顶表面顶上的钨层的第一顶表面；以及利用过氧化物(诸如过氧化氢)和强酸或强碱中的一种来蚀刻钨层以从基板顶上移除钨层的第一部分，用于在基板的顶表面下方的水平处形成钨层的第二顶表面。所述方法适合用于在基板的顶表面下方的水平处或在一或多个特征(诸如通孔或沟槽)内形成钨层的实质上水平或平坦的顶表面。