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公开(公告)号：CN109979819A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811567125.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿米丽塔·B·莫里克 , 伊斯梅尔·埃姆什 , 乌迪·米特拉 , 罗伊·沙威 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: H01L21/3213 , C23F1/14
Abstract: 公开了蚀刻钨的方法，所述方法包括：校平特征内和基板的顶表面顶上的钨层的第一顶表面；以及利用过氧化物(诸如过氧化氢)和强酸或强碱中的一种来蚀刻钨层以从基板顶上移除钨层的第一部分，用于在基板的顶表面下方的水平处形成钨层的第二顶表面。所述方法适合用于在基板的顶表面下方的水平处或在一或多个特征(诸如通孔或沟槽)内形成钨层的实质上水平或平坦的顶表面。
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