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公开(公告)号：CN117334636A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310800925.3
申请日：2023-06-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑嘉杰 , 琚正 , 陈枫 , 杰弗里•W•安西斯 , 本杰明·施密特
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了用于形成掺钌氮化铌阻挡层的方法。掺杂阻挡层在小于约的厚度下提供改善的粘附性。在一些实施方式中，本文公开的掺杂阻挡层提供改进的阻挡特性，包括更低的氮含量、更高的钌含量、更好的覆盖性、更薄的层或更低的线电阻。
