公开(公告)号：CN118743029A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202280092313.7

申请日：2022-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迈克尔·哈维 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  高拉夫·塔雷贾 ,  赛沙德利·甘古利

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/40

Abstract: 本公开内容的实施方式提供包含功函数层的方法及电子装置，功函数层包含形成弱硅化物的材料。电子装置包含硅层和金属接触，所述硅层具有在所述硅层上的功函数层，所述金属接触在所述功函数层上。

公开(公告)号：CN119678242A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380059220.9

申请日：2023-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄信宰 ,  陈枫 ,  穆图库马尔·卡利亚潘 ,  迈克尔·哈维

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 描述形成互连和电子装置的方法。形成互连的方法包括在基板上形成氮化钽层；在氮化钽层上形成钌层；和将氮化钽层和钌层暴露于包含氢(H2)和氩(Ar)的混合物的等离子体，以在其上形成钽掺杂的钌层。还描述用于执行所述方法的设备。