公开(公告)号：CN117501429A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280042079.7

申请日：2022-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  王飞虎 ,  杨逸雄 ,  李靖珠 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  金相鑫 ,  陈哲擘 ,  沈刚

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法及设备。例如，用于处理基板的方法包括：在基板上的层中界定的特征内沉积硅化物层；使用物理气相沉积经由沉积钼(Mo)或钨(W)中的至少一者，在该特征内的该硅化物层的顶部形成金属衬垫层或金属种晶层中的一者；及使用化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者，在该金属衬垫层或该金属种晶层中的该至少一者的顶部沉积Mo，而无真空破坏。

公开(公告)号：CN114981954A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009151.1

申请日：2021-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈刚 ,  陈枫 ,  伊扎克·萨巴 ,  河泰泓 ,  唐先敏 ,  吴智远 ,  许文静

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 描述一种微电子装置，该微电子装置包括形成在基板上的介电层、包括被限定在介电层中的间隙的特征、在介电层上的阻挡层、在阻挡层上的双金属衬里膜，和在双金属衬里上的间隙填充金属。多个实施方式提供一种形成包括在阻挡层上的双金属衬里膜的微电子装置的方法。

公开(公告)号：CN114930521A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008927.8

申请日：2021-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 仲兰兰 ,  张富宏 ,  沈刚 ,  陈枫 ,  李睿 ,  谢祥金 ,  河泰泓 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67

Abstract: 本文提供了用于填充基板上的特征的方法及设备。在一些实施例中，一种填充基板上的特征的方法包括：在第一温度下经由化学气相沉积(CVD)工艺在第一处理腔室中在基板上及设置在基板中的特征内沉积第一金属材料；在第二温度及第一偏置功率下在第二处理腔室中在第一金属材料上沉积第二金属材料以形成第二金属材料的种晶层；在大于第一偏置功率的第二偏置功率下在第二处理腔室中蚀刻种晶层以在特征内形成包含第一金属材料及第二金属材料的互相混合层；以及将基板加热至高于第二温度的第三温度，从而导致第二金属材料的回流。

公开(公告)号：CN114981478A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009149.4

申请日：2021-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈璐 ,  克里斯蒂娜·L·恩格勒 ,  沈刚 ,  陈枫 ,  河泰泓 ,  唐先敏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 描述一种用于掺杂阻挡层的方法，所述阻挡层诸如，钽(Ta)、氮化钽(TaN)、碳化钽(TaC)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、锰(Mn)、氮化锰(MnN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)和氮化钼(MoN)、和类似者。掺杂剂可包括钌(Ru)、锰(Mn)、铌(Nb)、钴(Co)、钒(V)、铜(Cu)、铝(Al)、碳(C)、氧(O)、硅(Si)、钼(Mo)和类似者中的一种或多种。经掺杂的阻挡层以小于约的厚度提供了改良的粘附性。

公开(公告)号：CN114981926A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009162.X

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许文静 ,  沈刚 ,  呼宇飞 ,  陈枫 ,  河泰泓

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 本文说明选择性沉积的方法。此外，也说明包括氨等离子体预清洁处理的改善选择性的方法。在一些实施方式中，硅烷基胺用于在介电表面上选择性形成表面活性剂层。钌膜可接着选择性沉积在导电表面上。在一些实施方式中，氨等离子体从导电表面移除氧化物污染物而不会不利地影响介电表面。