公开(公告)号：CN115023792A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180009088.1

申请日：2021-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  吴凯 ,  玄珉 ,  张潍铭 ,  汤姆何荣·余 ,  王珮琪 ,  姜宙翼 ,  王飞虎 ,  佐佐木信之 ,  周春明

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 用于在包括高深宽比结构的结构上形成钨间隙填充部的方法包括：使用具有氩或氪的环境气体和高离子化的物理气相沉积(PVD)处理在该结构中沉积钨衬垫。该PVD处理在大约20摄氏度至大约300摄氏度的温度下执行。该方法进一步包括：以氮化处理处置该结构，且使用化学气相沉积(CVD)处理沉积整体填充钨至该结构中，以形成接缝抑制的无硼钨填充部。该CVD处理在大约300摄氏度至大约500摄氏度的温度下和大约5托至大约300托的压力下执行。

公开(公告)号：CN117501429A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280042079.7

申请日：2022-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  王飞虎 ,  杨逸雄 ,  李靖珠 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  金相鑫 ,  陈哲擘 ,  沈刚

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法及设备。例如，用于处理基板的方法包括：在基板上的层中界定的特征内沉积硅化物层；使用物理气相沉积经由沉积钼(Mo)或钨(W)中的至少一者，在该特征内的该硅化物层的顶部形成金属衬垫层或金属种晶层中的一者；及使用化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者，在该金属衬垫层或该金属种晶层中的该至少一者的顶部沉积Mo，而无真空破坏。

公开(公告)号：CN116888709A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280016686.6

申请日：2022-02-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱•雷克什马南 ,  杰奎琳•S•阮奇 ,  王飞虎 ,  杨逸雄 ,  李正周 ,  斯里尼瓦斯•甘迪科塔

IPC: H01L21/285

Abstract: 叙述了在基板上沉积金属触点堆叠物的方法。此方法堆叠物包括金属覆盖层与钼导体层。此方法包括借由物理气相沉积(PVD)在基板上沉积金属覆盖层和借由原子层沉积(ALD)在金属覆盖层上沉积钼导体层。

公开(公告)号：CN114946012A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008460.7

申请日：2021-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王飞虎 ,  李正周 ,  岑羲 ,  袁智博 ,  雷伟 ,  吴凯 ,  周春明 ,  陈哲擘

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 提供了用以提供包含钨膜堆叠物的电子器件的装置及方法。通过物理气相沉积形成的钨衬垫以在钨衬垫上通过化学气相沉积直接形成的钨膜来填充。