公开(公告)号：CN119698684A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059646.4

申请日：2023-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨宗翰 ,  亓智敏 ,  高勇谦 ,  汪荣军 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  高兴尧 ,  许智勋 ,  岑羲 ,  雷伟 ,  岳诗雨 ,  张爱西 ,  吴凯 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种形成半导体装置结构的方法包括在至少一个特征内形成成核层。所述方法包括将成核层暴露于氮等离子体处理。氮等离子体处理优先处理顶场和侧壁，同时留下实质上未处理的底表面以促进自下而上的金属生长。

公开(公告)号：CN113678231B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN118251758A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280050918.X

申请日：2022-07-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  尹泰雄 ,  希里什·A·佩特 ,  吴凯 ,  佐佐木信之 ,  雷蔚

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285

Abstract: 本文提供用于填充基板中的特征的方法及相关设备的实施例。在一些实施例中，一种填充基板中的特征的方法包括：经由物理气相沉积(PVD)工艺在特征中沉积氮化钨的晶种层；经由PVD工艺在特征中的氮化钨的晶种层上沉积钨的衬垫层；及随后经由化学气相沉积(CVD)工艺以钨整体填充来填充特征。

公开(公告)号：CN118020147A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280064312.1

申请日：2022-08-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黃祖滨 ,  斯里尼瓦斯·托库尔·莫哈纳 ,  山帝仕·亚达玛尼 ,  吴凯 ,  加勒巴利·拉维 ,  俞晓舟 ,  王珮琪

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本文提供的公开内容的实施方式一般涉及底部覆盖板(BCR)，该底部覆盖板实现对用于处理基板的腔室内部的加热元件的辐射损失的控制。加热元件用于在处理之前或期间加热基板，并且可能因腔室中不均匀的热损失而不均匀地加热基板。举例而言，基板的不均匀加热可能导致材料在基板上的不均匀沉积，从而可能导致为校正沉积而执行的过度处理或者因处置处理不当的基板而产生的废品。BCR可用于校正基板的不均匀加热。

公开(公告)号：CN117730405A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280046021.X

申请日：2022-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄祖滨 ,  贾勒帕里·拉维 ,  吴凯 ,  袁小雄

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本文描述了用于处理基板的方法和装置。所描述的方法和装置使得能够在处理腔室内与多个基板升降销同时或分开地升高和降低遮蔽环。遮蔽环使用遮蔽环升降组件来升高和降低，并且可以在自由基处理操作期间升高到基板上方的预定高度。遮蔽环升降组件也可以升高和降低多个基板升降销，以使得当基板被传输到处理腔室中或从处理腔室传输出去时，遮蔽环和基板升降销两者能够升高到传输位置。

公开(公告)号：CN117480586A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202180098580.0

申请日：2021-05-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵明锐 ,  王佩琪 ,  吴凯 ,  哈普利特·辛格 ,  迈克尔·C·库特尼

IPC: H01L21/283

Abstract: 本文的实施方式大体上关于电子器件制造，且更具体地说，关于用于在半导体器件制造方案中形成实质上无孔隙与无缝式钨特征的系统及方法。在一个实施方式中，基板处理系统的特征在于处理腔室及流体耦合至此处理腔室的气体输送系统。此气体输送系统包括用于差动抑制处理工艺的第一自由基产生器及用于腔室清洁工艺的第二自由基产生器。此处理系统经配置为通过形成相对少量的卤素基气体的等离子体来周期性地调节此第一自由基产生器。

公开(公告)号：CN115088064A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180013702.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尹炳勋 ,  吴立其 ,  李靖珠 ,  吴凯 ,  岑羲 ,  雷伟 ,  柳尚澔 ,  赛沙德利·甘古利

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 讨论了沉积金属膜的方法。金属膜形成在具有金属底部及电介质侧壁的特征的底部上。金属膜的形成包含：在将基板维持在沉积温度下的同时，暴露于金属前驱物及烷基卤化物催化剂。所述金属前驱物具有高于沉积温度的分解温度。所述烷基卤化物包含碳及卤素，且所述卤素包含溴或碘。

公开(公告)号：CN114946012A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008460.7

申请日：2021-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王飞虎 ,  李正周 ,  岑羲 ,  袁智博 ,  雷伟 ,  吴凯 ,  周春明 ,  陈哲擘

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 提供了用以提供包含钨膜堆叠物的电子器件的装置及方法。通过物理气相沉积形成的钨衬垫以在钨衬垫上通过化学气相沉积直接形成的钨膜来填充。

公开(公告)号：CN106133878B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201580018220.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  柳尚澔 ,  大东和也 ,  朴基振 ,  吴凯 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。

公开(公告)号：CN109983155A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780058629.3

申请日：2017-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  维卡什·班西埃 ,  柳尚澔 ,  张镁 ,  马飞跃

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/14

Abstract: 藉由将表面暴露于包括氩气或氢气之一或更多者的预清洁等离子体继之以沉积，相对于第二表面(例如，介电表面)于第一表面(例如，金属表面)上选择性地沉积膜的方法。第一表面和第二表面可为实质上共面的。所沉积膜的选择性相对于在暴露于预清洁等离子体之前的基板可增加一个数量级。