公开(公告)号：CN114946012A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008460.7

申请日：2021-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王飞虎 ,  李正周 ,  岑羲 ,  袁智博 ,  雷伟 ,  吴凯 ,  周春明 ,  陈哲擘

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 提供了用以提供包含钨膜堆叠物的电子器件的装置及方法。通过物理气相沉积形成的钨衬垫以在钨衬垫上通过化学气相沉积直接形成的钨膜来填充。

公开(公告)号：CN115023792A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180009088.1

申请日：2021-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  吴凯 ,  玄珉 ,  张潍铭 ,  汤姆何荣·余 ,  王珮琪 ,  姜宙翼 ,  王飞虎 ,  佐佐木信之 ,  周春明

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 用于在包括高深宽比结构的结构上形成钨间隙填充部的方法包括：使用具有氩或氪的环境气体和高离子化的物理气相沉积(PVD)处理在该结构中沉积钨衬垫。该PVD处理在大约20摄氏度至大约300摄氏度的温度下执行。该方法进一步包括：以氮化处理处置该结构，且使用化学气相沉积(CVD)处理沉积整体填充钨至该结构中，以形成接缝抑制的无硼钨填充部。该CVD处理在大约300摄氏度至大约500摄氏度的温度下和大约5托至大约300托的压力下执行。

公开(公告)号：CN114586143A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080072807.X

申请日：2020-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 周春明 ,  候文婷 ,  斯瑞·兰咖赛·克沙普拉咖大

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C28/02 ,  C23C16/56 ,  C23C16/06 ,  C23C16/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04

Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法。例如，方法包括以下步骤：在基板上的至少一个特征结构内选择性地沉积第一金属层；在第一金属层的顶上且至少在界定至少一个特征结构的侧壁上沉积第二金属层；在第二金属层的顶上并在特征结构内沉积第三金属层，以至少完全填充至少一个特征结构；和移除一些第二金属层或移除一些第二金属层和一些第三金属层，使得第二金属层和第三金属层的剩余部分与至少一个特征结构的顶表面齐平。