公开(公告)号：CN119895560A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065707.8

申请日：2023-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  雷雨 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  赵咸元 ,  雷伟 ,  高兴尧 ,  希里什语·A·佩特 ,  黄涛 ,  常翔 ,  帕特里克·博-均·李 ,  杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  吴典晔 ,  汪荣军

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。

公开(公告)号：CN115003854A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009200.1

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尹炳勋 ,  雷伟 ,  柳尚澔

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/04 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 披露一种用于在表面上选择性地沉积的方法。本公开内容的一些实施方式利用实质上不含卤素且实质上不含氧的有机金属前驱物。执行沉积以相对于金属表面在非金属表面上选择性地沉积金属膜。本公开内容的一些实施方式涉及间隙填充的方法。

公开(公告)号：CN115039210A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180012393.6

申请日：2021-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷伟 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  河泰泓 ,  雷蒙德·洪 ,  希里什语·A·佩特

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种用于在介电表面顶上选择性沉积钨层的方法及设备。在实施方式中，方法包括：在基板场顶上并且在基板中设置的特征的侧壁及介电底表面顶上经由PVD工艺沉积钨层以在场顶上形成具有第一厚度的第一钨部分，在侧壁顶上形成具有第二厚度的第二钨部分，并且在底表面顶上形成具有第三厚度的第三钨部分，其中第二厚度小于第一厚度及第三厚度；氧化钨层的顶表面以在场顶上形成第一氧化的钨部分，在侧壁顶上形成第二氧化的钨部分，并且在底表面顶上形成第三氧化的钨部分；去除第一、第二、及第三氧化的钨部分，其中第二钨部分完全从侧壁去除；以及从场钝化或完全去除第一钨部分。

公开(公告)号：CN120051591A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380075761.0

申请日：2023-10-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 萨希尔·帕特尔 ,  雷伟 ,  高兴尧 ,  希里什语·A·佩特 ,  雷雨

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C14/24

Abstract: 提供了用于处理基板的方法和装置。在一些实施例中，一种方法包括：在基板上以及设置在所述基板的介电层中的特征内沉积金属缓冲层。使用第一物理气相沉积(PVD)工艺在小于500 mTorr的腔室压力下沉积所述缓冲层，同时如果所述腔室压力小于或等于3 mTorr，则向所述基板施加小于或等于0.08瓦/cm2的RF偏置功率，并且如果所述腔室压力大于3 mTorr，则向所述基板施加小于或等于0.8瓦/cm2的RF偏置功率。使用第二PVD工艺在小于或等于3 mTorr的腔室压力下在所述缓冲层的顶上沉积金属衬垫层，同时向所述基板施加大于0.08瓦/cm2的RF偏置功率。

公开(公告)号：CN115003854B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202180009200.1

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尹炳勋 ,  雷伟 ,  柳尚澔

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/04 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 披露一种用于在表面上选择性地沉积的方法。本公开内容的一些实施方式利用实质上不含卤素且实质上不含氧的有机金属前驱物。执行沉积以相对于金属表面在非金属表面上选择性地沉积金属膜。本公开内容的一些实施方式涉及间隙填充的方法。

公开(公告)号：CN118176574A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072811.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  C23C16/02 ,  C23C16/14

Abstract: 在特征上用于形成钨间隙填充的方法。一种用于在特征中形成钨间隙填充的方法，可包括：在基板上处理第一层，所述基板具有通过特征暴露的第一层的一部分；使用物理气相沉积(PVD)工艺在特征中于第一层的处理的部分顶部沉积钨衬垫层；及使用化学气相沉积(CVD)工艺沉积钨填充层至特征中及钨衬垫层顶部。

公开(公告)号：CN117916847A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280061014.7

申请日：2022-06-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 夏博睿 ,  安东尼·志-东·陈 ,  岳诗雨 ,  雷伟 ,  阿拉维德·米亚尔·卡马斯 ,  穆昆德·桑德拉贾恩 ,  汪荣军 ,  阿道夫·米勒·艾伦

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35

Abstract: 描述了包括具有顶板的壳体的磁铁组件，每个顶板包括对准的开口。壳体具有底环和环形壁，其中多个开口形成在该底环中。该顶板在该壳体上，并且具有多个开口，该多个开口与该壳体的该底环中的多个开口对准。该磁铁组件还可包括不导电的基底板和/或导电的盖板。还描述了使用磁铁组件和磁场调谐的方法。

公开(公告)号：CN119698684A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059646.4

申请日：2023-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨宗翰 ,  亓智敏 ,  高勇谦 ,  汪荣军 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  高兴尧 ,  许智勋 ,  岑羲 ,  雷伟 ,  岳诗雨 ,  张爱西 ,  吴凯 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种形成半导体装置结构的方法包括在至少一个特征内形成成核层。所述方法包括将成核层暴露于氮等离子体处理。氮等离子体处理优先处理顶场和侧壁，同时留下实质上未处理的底表面以促进自下而上的金属生长。

公开(公告)号：CN119497909A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380053394.4

申请日：2023-04-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨宗翰 ,  高兴尧 ,  岳诗雨 ,  许智勋 ,  谢里什·派斯 ,  汪荣军 ,  徐翼 ,  雷伟 ,  雷雨 ,  张爱西 ,  赵咸元 ,  亓智敏 ,  吕疆 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。

公开(公告)号：CN115088064A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180013702.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尹炳勋 ,  吴立其 ,  李靖珠 ,  吴凯 ,  岑羲 ,  雷伟 ,  柳尚澔 ,  赛沙德利·甘古利

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 讨论了沉积金属膜的方法。金属膜形成在具有金属底部及电介质侧壁的特征的底部上。金属膜的形成包含：在将基板维持在沉积温度下的同时，暴露于金属前驱物及烷基卤化物催化剂。所述金属前驱物具有高于沉积温度的分解温度。所述烷基卤化物包含碳及卤素，且所述卤素包含溴或碘。