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公开(公告)号：CN117926220A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311838381.6
申请日：2017-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/44 , C23C16/18 , C23C16/455 , F16K31/12 , F16K31/60
Abstract: 描述一种用于向处理腔室供应气体的设备和方法。设备包括入口管线和出口管线，它们各自有两个阀，与安瓿流体连通。旁通管线连接最靠近安瓿的入口阀和出口阀。设备和使用方法允许从处理腔室的输送管线中去除前驱物残余物。
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公开(公告)号：CN119768908A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380064123.9
申请日：2023-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532
Abstract: 用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对硅基材料有选择性。方法亦包括在MOL接触结构上执行金属材料的选择性沉积工艺。相对于介电材料，选择性沉积工艺对TiSi材料有选择性且在硅基连接部分上形成硅化物封盖层。方法进一步包括在接触结构上执行金属材料的种晶层沉积工艺。
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公开(公告)号：CN106663614B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201580043803.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。
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公开(公告)号：CN107078036A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058667.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/02068 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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公开(公告)号：CN119497909A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380053394.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791866B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201780042531.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供一种用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备的实施方式。在一些实施方式中，用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备包括：传导气体管线、第一凸缘、第二凸缘和铁氧体材料块，所述传导气体管线具有第一端和第二端；所述第一凸缘耦接至所述第一端；所述第二凸缘耦接至所述第二端，其中所述传导气体管线延伸穿过所述第一凸缘和第二凸缘，且所述传导气体管线在所述第一凸缘和所述第二凸缘之间延伸；和所述铁氧体材料块围绕所述第一凸缘和所述第二凸缘之间的所述传导气体管线。
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公开(公告)号：CN109791866A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780042531.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供一种用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备的实施方式。在一些实施方式中，用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备包括：传导气体管线、第一凸缘、第二凸缘和铁氧体材料块，所述传导气体管线具有第一端和第二端；所述第一凸缘耦接至所述第一端；所述第二凸缘耦接至所述第二端，其中所述传导气体管线延伸穿过所述第一凸缘和第二凸缘，且所述传导气体管线在所述第一凸缘和所述第二凸缘之间延伸；和所述铁氧体材料块围绕所述第一凸缘和所述第二凸缘之间的所述传导气体管线。
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公开(公告)号：CN119173997A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202280096022.5
申请日：2022-07-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴立其 , 刘风全 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 詹姆斯·H·康诺利 , 亓智敏 , 张洁 , 窦伟 , 张爱西 , 马克·萨利 , 吕疆 , 汪荣军 , 戴维·汤普森 , 唐先敏
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/285
Abstract: 本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属材料可借由额外蚀刻工艺蚀刻。在特征底部处的所得金属层促进特征的选择性金属间隙填充。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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