用于处理基板的方法与设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114929930A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202180008729.1

    申请日:2021-03-25

    Abstract: 本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如,用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁;溅射靶,该溅射靶设置在该内部空间的上部中;基座,该基座包含基板支撑件,该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板;功率源,经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体;处理套件,该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件;和ACT和控制器,该ACT连接到该基座,该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差,其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。

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