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公开(公告)号:CN109599319B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201811141799.0
申请日:2013-12-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于处理腔室中使用的挡板盘。在某些实施方式中,处理腔室中使用的挡板盘可包括具有外周的主体、主体的顶表面与主体的底表面,其中顶表面包括具有实质上水平的平坦表面的中央部分,以及由中央部分以径向向外设置的至少一个斜角结构,每个所述至少一个斜角结构具有顶部部分以及从顶部部分往外周在径向向外方向以向下角度设置的斜角表面。
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公开(公告)号:CN106489194B
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN201580036350.6
申请日:2015-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 于此公开用于支撑基板的装置的实施方式。在一些实施方式中,用于支撑基板的装置包含:支撑构件;及多个基板接触元件,该多个基板接触元件由该支撑构件突出,其中该多个基板接触元件的每一个包含:第一接触表面,在基板放置于该第一接触表面上时支撑该基板;及第二接触表面,该第二接触表面由该第一接触表面延伸;其中该第二接触表面邻近该基板的周边以防止该基板的径向移动;其中该第一接触表面相关于该支撑构件处于第一角度,且该第二接触表面相关于该支撑构件处于第二角度;且其中该第一角度介于约3度与5度之间。
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公开(公告)号:CN109616438A
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201811129655.3
申请日:2014-12-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , B25J11/00 , B25J15/00
Abstract: 于此披露了用于支撑基板的设备的实施方式。在一些实施方式中,用于支撑基板的设备包括:支撑表面;和多个基板接触元件,所述多个基板接触元件从所述支撑表面突出,其中所述多个基板接触元件由一材料形成,所述材料具有小于或等于硅的硬度的硬度,具有低附着性,具有大到足以防止滑动的静磨擦系数,具有小于或等于10Ra的表面粗糙度,且为导电性的。
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公开(公告)号:CN105074877B
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201480009306.1
申请日:2014-02-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67028 , B01D39/12 , B08B5/00 , B08B7/00 , H01L21/02076 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67051
Abstract: 一种基板清洁设备可包括:基板支撑件,该基板支撑件具有支撑表面,以支撑待清洁的基板,其中该基板支撑件可围绕垂直于支撑表面的中心轴旋转;第一喷嘴,当基板支撑件的支撑表面支撑该基板时,该第一喷嘴将第一清洁气体提供至内部空间的区域,该区域对应于基板的边缘的位置;第一环形主体,该第一环形主体设置于基板支撑件的支撑表面的相对面,且与该基板支撑件的支撑表面间隔开缝隙,该第一环形主体具有中央开口,该中央开口由内壁界定,该内壁经塑形以在径向向外的方向上于第一环形主体与支撑表面之间提供减小尺寸的缝隙;和第一气体入口,该第一气体入口将第一气体提供至第一环形主体的中央开口。
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公开(公告)号:CN113412341B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202080013665.X
申请日:2020-02-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前,可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分,使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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公开(公告)号:CN105074867B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201380073717.2
申请日:2013-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32715 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32853 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3447
Abstract: 本文提供用于处理腔室中使用的挡板盘。在某些实施方式中,处理腔室中使用的挡板盘可包括具有外周的主体、主体的顶表面与主体的底表面,其中顶表面包括具有实质上水平的平坦表面的中央部分,以及由中央部分以径向向外设置的至少一个斜角结构,每个所述至少一个斜角结构具有顶部部分以及从顶部部分往外周在径向向外方向以向下角度设置的斜角表面。
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公开(公告)号:CN105074879B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201480009016.7
申请日:2014-02-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 詹姆斯·马修·霍尔登 , 徐松文 , 谢纳·D·素缇拉 , 格伦·T·莫里
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/0209 , H01L21/67051
Abstract: 一种基板清洁装置可包括:基板支撑构件,用以支撑基板,该基板具有第一侧面和污染的第二侧面;液态二氧化碳源;气态二氧化碳源;及一或更多个喷嘴,该一或更多喷嘴耦合至液态二氧化碳源和气态二氧化碳源,其中一或更多个喷嘴配置为接收液态二氧化碳及排放来自液态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第一混合物至基板的第二侧面,及接收气态二氧化碳及排放来自气态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第二混合物至基板的第二侧面。清洁基板的方法可在基板清洁装置中执行。
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公开(公告)号:CN105074879A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201480009016.7
申请日:2014-02-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 詹姆斯·马修·霍尔登 , 徐松文 , 谢纳·D·素缇拉 , 格伦·T·莫里
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/0209 , H01L21/67051
Abstract: 一种基板清洁装置可包括:基板支撑构件,用以支撑基板,该基板具有第一侧面和污染的第二侧面;液态二氧化碳源;气态二氧化碳源;及一或更多个喷嘴,该一或更多喷嘴耦合至液态二氧化碳源和气态二氧化碳源,其中一或更多个喷嘴配置为接收液态二氧化碳及排放来自液态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第一混合物至基板的第二侧面,及接收气态二氧化碳及排放来自气态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第二混合物至基板的第二侧面。清洁基板的方法可在基板清洁装置中执行。
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公开(公告)号:CN115515750B
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202180030694.1
申请日:2021-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 郭渊泓 , 郭晟 , 马雷克·W·拉德科 , 史蒂芬·维克托·桑索尼 , 纳根德拉·马迪瓦 , 马特维·法伯 , 勾平平 , 徐松文 , 杰弗里·C·赫金斯 , 村山祐二 , 阿努拉·邦萨尔 , 陈少锋 , 迈克尔·库查尔
IPC: B24B27/033 , B23P23/04
Abstract: 一种方法包括接收包括原始表面的金属部件,此原始表面包括金属基底、设置在此金属基底上的第一本征氧化物和设置在此金属基底上的烃。此方法进一步包括对此金属部件的此原始表面进行加工,以自此金属基底移除此第一本征氧化物和移除此烃的第一部分。此加工产生此金属部件的加工表面,此加工表面包括不具有此第一本征氧化物且不具有此烃的此第一部分的金属基底。此方法进一步包括执行对此金属部件的此加工表面的表面加工,以移除此烃的第二部分。此方法进一步包括对此金属部件进行表面处理,以移除此烃的第三部分。此方法进一步包括执行对此金属部件的清洁和干燥此金属部件。
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公开(公告)号:CN113412341A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202080013665.X
申请日:2020-02-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前,可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分,使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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