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公开(公告)号：CN106489194B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201580036350.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 于此公开用于支撑基板的装置的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的装置包含：支撑构件；及多个基板接触元件，该多个基板接触元件由该支撑构件突出，其中该多个基板接触元件的每一个包含：第一接触表面，在基板放置于该第一接触表面上时支撑该基板；及第二接触表面，该第二接触表面由该第一接触表面延伸；其中该第二接触表面邻近该基板的周边以防止该基板的径向移动；其中该第一接触表面相关于该支撑构件处于第一角度，且该第二接触表面相关于该支撑构件处于第二角度；且其中该第一角度介于约3度与5度之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106489194A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036350.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 于此公开用于支撑基板的装置的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的装置包含：支撑构件；及多个基板接触元件，该多个基板接触元件由该支撑构件突出，其中该多个基板接触元件的每一个包含：第一接触表面，在基板放置于该第一接触表面上时支撑该基板；及第二接触表面，该第二接触表面由该第一接触表面延伸；其中该第二接触表面邻近该基板的周边以防止该基板的径向移动；其中该第一接触表面相关于该支撑构件处于第一角度，且该第二接触表面相关于该支撑构件处于第二角度；且其中该第一角度介于约3度与5度之间。
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公开(公告)号：CN109727900B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201811152281.7
申请日：2015-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 于此公开用于支撑基板的装置的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的装置包含：支撑构件；及多个基板接触元件，该多个基板接触元件由该支撑构件突出，其中该多个基板接触元件的每一个包含：第一接触表面，在基板放置于该第一接触表面上时支撑该基板；及第二接触表面，该第二接触表面由该第一接触表面延伸；其中该第二接触表面邻近该基板的周边以防止该基板的径向移动；其中该第一接触表面相关于该支撑构件处于第一角度，且该第二接触表面相关于该支撑构件处于第二角度；且其中该第一角度介于约3度与5度之间。
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公开(公告)号：CN109727900A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811152281.7
申请日：2015-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 于此公开用于支撑基板的装置的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的装置包含：支撑构件；及多个基板接触元件，该多个基板接触元件由该支撑构件突出，其中该多个基板接触元件的每一个包含：第一接触表面，在基板放置于该第一接触表面上时支撑该基板；及第二接触表面，该第二接触表面由该第一接触表面延伸；其中该第二接触表面邻近该基板的周边以防止该基板的径向移动；其中该第一接触表面相关于该支撑构件处于第一角度，且该第二接触表面相关于该支撑构件处于第二角度；且其中该第一角度介于约3度与5度之间。
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公开(公告)号：CN108431924B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 张镁 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN108431924A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 唐薇 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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