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公开(公告)号：CN115516131B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202180030947.5
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文描述了一种用于生产气体分配设备的方法和设备。更特定地，本文描述了用于生产三通道气体分配设备的方法和设备。本文描述的气体分配设备包括上板、中板、和下板。在上板、中板、和下板全部结合之前，对中板和下板进行加工。接着在气体分配设备上实行附加加工。该气体分配设备用于将三种或更多种处理气体分配到处理腔室中。
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公开(公告)号：CN116615676A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180083988.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02B1/10
Abstract: 提供一种光学装置计量方法。该方法包括：在第一时间段期间将第一类光提供至第一光学装置中；在第一时间段期间测量从顶表面或底表面上的第一位置透射的第一类光的量；在发生于第一时间段之后的第二时间段期间用光学吸收材料的第一涂层涂布一或多个边缘中的一边缘的至少一部分；在发生于第二时间段之后的第三时间段期间将第一类光提供至第一光学装置中；及在第三时间段期间测量从顶表面或底表面上的第一位置透射的第一类光的量。
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公开(公告)号：CN111095514A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058133.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的设备。在一些实施方式中，喷头组件包括：气体分配板，气体分配板具有多个孔；保持器，保持器具有壁、径向向内延伸的凸缘、和径向向外延伸的凸缘，所述径向向内延伸的凸缘从壁的下部延伸且耦接至气体分配板，所述径向向外延伸的凸缘从壁的上部延伸，其中壁具有在约0.015英寸与约0.2英寸之间的厚度；和加热设备，所述加热设备设置在气体分配板上方并且与气体分配板间隔开，其中加热设备包括加热器，加热器配置以加热气体分配板。
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公开(公告)号：CN115516131A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180030947.5
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文描述了一种用于生产气体分配设备的方法和设备。更特定地，本文描述了用于生产三通道气体分配设备的方法和设备。本文描述的气体分配设备包括上板、中板、和下板。在上板、中板、和下板全部结合之前，对中板和下板进行加工。接着在气体分配设备上实行附加加工。该气体分配设备用于将三种或更多种处理气体分配到处理腔室中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114946018A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008110.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了在相对低的温度下执行的用于沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了其中控制反应物气体之间的比率的方法。本公开内容的一些实施方式提供了钨的选择性沉积。本公开内容的一些实施方式提供了用于在低温下沉积具有相对低粗糙度、应力及杂质水平的钨膜的方法。
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公开(公告)号：CN113678231A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN108431924A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 唐薇 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN104813444A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380053240.1
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/08 , C23C16/50
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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公开(公告)号：CN108431924B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 张镁 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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