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公开(公告)号：CN104685610B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201380050387.5
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02041 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本文描述用于处理基板的方法。所述方法可包括将含硅基板定位于处理腔室中，在偏压基板的同时将等离子体递送至基板的表面，将基板的表面暴露于氟化铵(NH4F)，及将基板退火至第一温度以升华一或多种挥发性副产物。
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公开(公告)号：CN104813450B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201380061897.2
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/324 , H01L21/326
Abstract: 本文描述了用于处理基板的多种方法。所述方法可包括将具有包括硅氧化物层的暴露表面的基板定位于处理腔室中，将所述基板偏压，处理所述基板以使硅氧化物层的一部分变粗糙，加热所述基板至第一温度，将所述基板的所述暴露表面暴露于氟化铵，以在保持第一温度的同时形成一种或更多种挥发性产物，和加热所述基板至高于第一温度的第二温度以升华所述挥发性产物。
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公开(公告)号：CN104813444A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380053240.1
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/08 , C23C16/50
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538715A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810259666.7
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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公开(公告)号：CN104813450A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061897.2
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/324 , H01L21/326
Abstract: 本文描述了用于处理基板的多种方法。所述方法可包括将具有包括硅氧化物层的暴露表面的基板定位于处理腔室中，将所述基板偏压，处理所述基板以使硅氧化物层的一部分变粗糙，加热所述基板至第一温度，将所述基板的所述暴露表面暴露于氟化铵，以在保持第一温度的同时形成一种或更多种挥发性产物，和加热所述基板至高于第一温度的第二温度以升华所述挥发性产物。
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公开(公告)号：CN108538715B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201810259666.7
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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公开(公告)号：CN104813444B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201380053240.1
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/08 , C23C16/50
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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公开(公告)号：CN104685610A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050387.5
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02041 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本文描述用于处理基板的方法。所述方法可包括将含硅基板定位于处理腔室中，在偏压基板的同时将等离子体递送至基板的表面，将基板的表面暴露于氟化铵(NH4F)，及将基板退火至第一温度以升华一或多种挥发性副产物。
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