公开(公告)号：CN103959443B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201280059387.7

申请日：2012-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  保尔·F·马 ,  张梅 ,  珍妮弗·山

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L23/5384 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述掺杂的TaN薄膜以及用于提供掺杂的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和/或V掺杂TaN薄膜得以增强TaN薄膜的铜阻挡性质。还描述提供薄膜的方法，该薄膜具有第一层和第二层，该第一层包含掺杂的TaN，该第二层包含Ru和Co中之一或更多者，且选择性地掺杂该第二层。

公开(公告)号：CN106470756A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036357.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  董友群 ,  戴维·汤普森 ,  张梅

IPC: B01J4/00 ,  B01J4/02

Abstract: 本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节管从所述第一贮槽延伸到所述第二贮槽中的所述第二容积的流体上方的区域。

公开(公告)号：CN103824746B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410050265.2

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张梅 ,  高建德 ,  吕新亮 ,  葛振宾

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。

公开(公告)号：CN102224585B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980147107.6

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高建德 ,  吕新亮 ,  葛振宾 ,  张梅 ,  霍伊曼·雷蒙德·洪 ,  妮琴·英吉

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/67219 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明的实施例一般关于用于处理半导体基板的设备及方法。特别而言，本发明的实施例关于用于形成浅沟槽隔离的设备及方法，所述浅沟槽隔离具有含磨圆底部的凹部。本发明的一个实施例包含：通过从填充的沟槽结构移除一部分材料以及通过磨圆凹部的底部转角而形成填充的沟槽结构中的凹部。磨圆底部转角是通过在基板上沉积与填充于沟槽结构内相同的材料的共形层以及通过从凹部侧壁移除所述材料的共形层而执行的。

公开(公告)号：CN102934203A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027318.3

申请日：2011-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高建德 ,  海曼·W·H·拉姆 ,  张梅 ,  戴维·T·奥 ,  尼古拉斯·R·丹尼 ,  袁晓雄(约翰)

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于沉积材料的设备和方法，特别是涉及配置为在等离子体增强工艺期间沉积材料的气相沉积腔室。在一个实施例中，提供用于处理一个或多个基板的腔室。所述腔室主体包括：限定处理空间的腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且配置为支撑一个或多个基板；处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；耦接气体分配组件的RF（射频）电源；等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。

公开(公告)号：CN104685610B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201380050387.5

申请日：2013-09-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·T·奥 ,  约书亚·柯林斯 ,  张梅

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本文描述用于处理基板的方法。所述方法可包括将含硅基板定位于处理腔室中，在偏压基板的同时将等离子体递送至基板的表面，将基板的表面暴露于氟化铵(NH4F)，及将基板退火至第一温度以升华一或多种挥发性副产物。

公开(公告)号：CN105390381A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN102918636B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN101425458B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810171147.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 夏立群 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  维克多·恩古源 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德 ,  杨海春 ,  卢欣亮 ,  高乾泰 ,  张梅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供形成至少一层介电层的方法和系统。其中一种结构的形成方法，包括：横跨衬底表面形成至少一个部件；在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及在该含氮介电层上方形成介电层。

公开(公告)号：CN106470756B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580036357.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  董友群 ,  戴维·汤普森 ,  张梅

IPC: B01J4/00 ,  B01J4/02

Abstract: 本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节管从所述第一贮槽延伸到所述第二贮槽中的所述第二容积的流体上方的区域。