公开(公告)号：CN101425458B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810171147.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 夏立群 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  维克多·恩古源 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德 ,  杨海春 ,  卢欣亮 ,  高乾泰 ,  张梅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供形成至少一层介电层的方法和系统。其中一种结构的形成方法，包括：横跨衬底表面形成至少一个部件；在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及在该含氮介电层上方形成介电层。

公开(公告)号：CN101285174B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810089769.X

申请日：2008-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 光得·道格拉斯·李 ,  马修·斯伯勒 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  温蒂·H·叶 ,  博·恒·金 ,  穆罕默德·阿尤布 ,  埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制的方法。这些方法减少或防止等离子体感应电荷由于无定形碳薄膜的沉积而损坏衬底。在一方面，在低RF功率等级和/或低无定形碳的烃化合物/惰性气体流速比率的条件下，在无定形碳的块层沉积之前沉积无定形碳起始层。在起始层沉积之后，RF功率、烃流速和惰性气体流速可以变化到用于块层沉积的最终值，其中该RF功率爬坡速率通常大于烃化合物和惰性气体的爬坡速率。另一方面，最小化等离子体感应电荷损坏的方法包括在一个或多个腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜之前，在一个或多个腔室的内表面上沉积适应层，或在制造过程中使用氧化层或电介质层涂覆内表面。