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公开(公告)号：CN115206765B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202210877835.X
申请日：2017-04-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
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公开(公告)号：CN116057672A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180056428.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张心明 , 沙善·夏尔马 , 阿布拉什·J·马约尔 , 诺曼·L·谭 , 马修·斯伯勒
IPC: H01L21/285
Abstract: 本文的多个实施方式涉及形成适于在半导体装置中用作导电特征结构的整体填充材料的氮化钛膜的方法，这些导电特征结构诸如在动态随机存取存储器(DRAM)装置中用于电容器电极和/或埋入的字线。在一个实施方式中，提供了一种在半导体装置中形成导电特征结构的方法。方法包括在氢自由基存在时热处理包含氮化钛层的至少部分的基板表面。热处理基板包括：将基板定位在处理腔室的处理空间中；将基板加热到大于约250℃的处理温度；使用流体耦接到处理空间的远程等离子体源产生氢自由基；和将基板维持在处理温度，同时将氮化钛层的至少部分暴露于产生的氢自由基。此处，基板包括场表面，在场表面中形成有多个开口，并且氮化钛层的至少部分设置在多个开口中。
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公开(公告)号：CN114667591A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202180006468.X
申请日：2021-02-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张心明 , 阿布拉什·J·马约尔 , 沙善·夏尔马 , 诺曼·L·塔姆 , 马修·斯伯勒
IPC: H01L21/02 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容提供用于处理基板的通道结构的系统与方法，所述系统和方法包含将基板定位在具有第一处理空间的第一处理腔室中。基板包含带有高深宽比特征的通道结构，所述高深宽比特征具有大于约20:1的深宽比。方法包含在通道结构上方形成含硅层至在第一处理空间中约10sccm至约5000sccm的流动速率下的氢或氘等离子体。在暴露期间基板维持在约100℃℃至约1100℃的温度下，该暴露形成成核基板。在该暴露之后，在该基板上执行热退火操作。
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公开(公告)号：CN118160063A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071809.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘炜 , 沙善·夏尔马 , 马修·斯伯勒 , 弗拉基米尔·纳戈尔尼
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 在实施方式中，提供一种用于氮化基板的方法。所述方法包括使含氮源及载气流至耦接至腔室的等离子体处理源中，以使得含氮源的流动速率为载气的流动速率的约3％至20％；通过操作电感耦合等离子体(ICP)源而在等离子体处理源中产生ICP，ICP包括由含氮源、载气或两者形成的自由基物质；及在腔室内氮化基板，其中氮化包括在自约150℃至约650℃的温度下操作腔室内的热源以加热基板；将腔室的压力维持在自约50毫托至约2托；将ICP引入至腔室；及通过将基板暴露于自由基物质来调整基板的特性。
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公开(公告)号：CN101285174B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810089769.X
申请日：2008-04-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 光得·道格拉斯·李 , 马修·斯伯勒 , 马丁·杰·西蒙斯 , 温蒂·H·叶 , 博·恒·金 , 穆罕默德·阿尤布 , 埃米尔·阿拉-巴亚提 , 德里克·R·维迪 , 伊沙姆·迈'萨德
Abstract: 本发明涉及用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制的方法。这些方法减少或防止等离子体感应电荷由于无定形碳薄膜的沉积而损坏衬底。在一方面，在低RF功率等级和/或低无定形碳的烃化合物/惰性气体流速比率的条件下，在无定形碳的块层沉积之前沉积无定形碳起始层。在起始层沉积之后，RF功率、烃流速和惰性气体流速可以变化到用于块层沉积的最终值，其中该RF功率爬坡速率通常大于烃化合物和惰性气体的爬坡速率。另一方面，最小化等离子体感应电荷损坏的方法包括在一个或多个腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜之前，在一个或多个腔室的内表面上沉积适应层，或在制造过程中使用氧化层或电介质层涂覆内表面。
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公开(公告)号：CN115206765A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210877835.X
申请日：2017-04-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
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公开(公告)号：CN109075106B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201780024464.8
申请日：2017-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
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公开(公告)号：CN109075106A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024464.8
申请日：2017-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
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