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公开(公告)号：CN115206765B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202210877835.X
申请日：2017-04-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
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公开(公告)号：CN107123597B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201610912283.6
申请日：2008-11-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·莫法特 , 约瑟夫·迈克尔·拉内什
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/67 , H01L29/66
Abstract: 本发明通常描述用来在衬底的期望区域上执行退火工艺的设备和方法。在一个实施例中，利用闪光灯或激光设备，将脉冲电磁能量供给到衬底上。该脉冲可以是从约1纳秒到约10毫秒长，并且每个脉冲具有比熔化衬底材料需要的能量小的能量。脉冲之间的能量间隔通常足够长，以允许由每个脉冲给予的能量完全消散。由此，每个脉冲实现一个微退火循环。脉冲可以被一次性供给到整个衬底上，或者一次性供给到衬底的一部分上。此外实施例提供了一种用来供电辐射组件的设备，和用来检测衬底上的脉冲的效果的设备。
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公开(公告)号：CN106291950B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201610717185.7
申请日：2012-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·莫法特 , 道格拉斯·E·霍姆格伦 , 塞缪尔·C·豪厄尔斯 , 埃德里克·唐 , 布鲁斯·E·亚当斯 , 季平·李 , 阿伦·缪尔·亨特
Abstract: 公开用于组合放大的辐射光束的设备和方法。光束组合器具有准直光学元件，该准直光学元件被定位成相对于准直光学元件的光轴以恒定的入射角接收多个相干辐射光束。各自的入射角度在某些实施方式中亦可为不同的。准直光学元件具有使光束准直的光学特性。该光学特性可为折射或反射，或折射与反射的结合。亦可提供聚集光学元件以将多个光束引导至准直光学元件。光束组合器可用于热处理设备中，以将诸如激光的两个以上的相干放大辐射光束组合至单一光束中。
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公开(公告)号：CN111406309A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880066517.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 维希瓦·库马尔·帕迪 , 劳拉·哈夫雷查克 , 庄野贤一 , 卡尔蒂克·萨哈 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉 , 凯拉什·普拉丹 , 雷内·乔治 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 斯蒂芬·莫法特
Abstract: 本文中提供了用于提供均匀流体流的气体注射器。所述气体注射器包括充气主体。所述充气主体包括：凹口；凸部，与所述凹口相邻且侧向延伸远离所述充气主体；及多个喷嘴，从所述充气主体的外表面侧向延伸。所述充气主体在所述充气主体的外壁中具有多个孔。各个喷嘴与所述充气主体的内部容积流体连通。通过引导流体流，所述气体注射器提供了均匀的沉积作用。
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公开(公告)号：CN106229264B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610621466.2
申请日：2011-07-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦构件中的中心开口。中心开口具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门及气体出口门各自分别与气体入口气室及气体出口气室流体连通。连接构件设置于中心开口附近，且所述连接构件将窗固持于中心开口上方。连接构件中的连接开口分别经由气体入口导管及气体出口导管与气体入口气室及气体出口气室流体连通，所述气体入口导管及气体出口导管穿过连接构件形成。
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公开(公告)号：CN105103271B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480010733.1
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·莫法特
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/483 , C23C16/00 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/00 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67069 , H01L31/1812 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的实施方式提供在处理腔室内处理基板的方法。在一个实施方式中，方法包含提供前驱物气体混合物至处理腔室内，前驱物气体混合物包含沉积前驱物气体和蚀刻前驱物气体、使前驱物气体混合物受到出自热源的热能作用，以在基板的表面上沉积材料层，其中热能小于蚀刻前驱物气体热解所需的最小值，及在材料层形成在基板的表面上后，使前驱物气体混合物受到出自辐射源的光能作用，光能的波长和功率水平经选择以促进蚀刻前驱物气体比沉积前驱物气体更易光解解离，及自基板表面蚀刻部分材料层。
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公开(公告)号：CN107578991A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710606365.2
申请日：2015-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿伦·缪尔·亨特 , 阿米科姆·萨德 , 塞缪尔·C·豪厄尔斯 , 道格拉斯·E·霍姆格伦 , 布鲁斯·E·亚当斯 , 西奥多·P·莫菲特 , 斯蒂芬·莫法特
IPC: H01L21/268 , H01L21/67 , B23K26/00 , B23K26/0622 , B23K26/073 , B23K26/08 , B23K26/70
CPC classification number: B23K26/70 , B23K26/0732 , B23K26/082 , B23K26/352 , H01L21/268 , H01L21/67115
Abstract: 一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。
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公开(公告)号：CN107421642A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710285969.1
申请日：2012-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘恒 , 马修·斯科特·罗杰斯 , 阿伦·缪尔·亨特 , 斯蒂芬·莫法特
Abstract: 本发明的实施例大致上涉及用以测量及监控基板的温度的设备及方法，所述基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及发射率计，所述光源用以照射基板，所述基板上具有3D特征结构，所述聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，所述发射率计用以检测聚焦的所述反射光的发射率。设备亦包含光束分光器及成像装置。成像装置提供反射光的衍射图案的放大图像。方法包含以光照射基板，所述基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板的发射率。反射光亦可入射成像装置，以产生反射光的衍射图案的放大图像。
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公开(公告)号：CN107112548A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580057852.7
申请日：2015-11-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/048 , C23C14/08 , C23C14/22 , C23C14/5813 , H01M4/0404 , H01M4/0421 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M4/04 , H01M6/005
Abstract: 一种在设备中制造电化学元件的方法，此方法可包含：提供电化学元件基板；在此基板之上沉积元件层；原位施加电磁辐射至元件层以实现元件层的表面重构、再结晶及致密化中的一或更多者；重复此沉积及此施加直至达成所需元件层厚度为止。此外，施加可在沉积期间进行。一种薄膜电池可包含：基板；集电器，在此基板上；阴极层，在此集电器上；电解质层，在此阴极层上；及锂阳极层，在此电解质层上；其中LLZO电解质层具有结晶相，没有归因于LLZO电解质层中的裂缝的短路，且在电解质层与阴极层之间的介面处无高电阻夹层。
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