公开(公告)号：CN106024587A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610557179.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792426B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180013249.0

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792426A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013249.0

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN106057649B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201610565609.2

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L27/11521

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN106024587B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201610557179.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11521

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102822947A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180013212.8

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  孙士雨

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L27/11521

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792425A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013229.3

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN117198930A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311012565.7

申请日：2018-08-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 维希瓦·库马尔·帕迪 ,  劳拉·哈夫雷查克 ,  庄野贤一 ,  卡尔蒂克·萨哈 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉 ,  凯拉什·普拉丹 ,  雷内·乔治 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本文中提供了用于提供均匀流体流的气体注射器。所述气体注射器包括充气主体。所述充气主体包括：凹口；凸部，与所述凹口相邻且侧向延伸远离所述充气主体；及多个喷嘴，从所述充气主体的外表面侧向延伸。所述充气主体在所述充气主体的外壁中具有多个孔。各个喷嘴与所述充气主体的内部容积流体连通。通过引导流体流，所述气体注射器提供了均匀的沉积作用。

公开(公告)号：CN113557589A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080020204.5

申请日：2020-02-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柯蒂斯·莱施克斯 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  本杰明·科伦坡 ,  史蒂文·韦尔韦贝克

IPC: H01L21/02

Abstract: 于此描述的实施方案大体涉及在半导体基板上形成低k介电材料的方法。更具体地，于此描述的实施方案涉及在高压和低温下形成氧化硅膜的方法。形成氧化硅膜的方法包括以下步骤：将其上形成有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中。方法进一步包括以下步骤：在含硅膜上形成氧化硅膜。在含硅膜上形成氧化硅膜的步骤包括以下步骤：将含硅膜在大于约1bar的压力下暴露于包括胺添加剂的氧化介质，并将高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下。

公开(公告)号：CN102301459B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080005910.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿古斯·S·查德拉 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  横田义孝

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明公开在半导体衬底上形成氧化物层的方法和设备。在一个或多个实施例中，利用等离子体氧化法通过将半导体衬底温度控制在低于约100℃来形成共形氧化物层。根据一个或多个实施例的控制半导体衬底温度的方法包含使用静电夹盘以及冷却剂和气体对流。