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公开(公告)号:CN103109359A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201180038683.4
申请日:2011-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 布莱克·R·凯尔梅尔 , 阿伦·M·亨特 , 亚历山大·N·勒纳
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B5/06 , F27B5/14 , F27B5/18 , F27D11/02 , F27D2019/0003 , H01L21/67011 , H01L21/67248
Abstract: 本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备,该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层,且反射板为反射板组件的一部分,其中反射板组设至底板。
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公开(公告)号:CN102077330B
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN200980125079.8
申请日:2009-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 库赫斯特·索瑞伯基 , 约瑟夫·M·拉内什 , 沃尔夫冈·阿德霍尔德 , 阿伦·M·亨特 , 亚历山大·N·勒纳
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4404 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/4584 , C23C16/481 , F27B17/0025 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207
Abstract: 本发明提供用于热处理基板的设备及方法。腔室包括浮置支撑组件,在基板的加热及冷却期间,所述支撑组件经配置以将基板定位在离一板为不同距离之处。在一个实施例中,板的表面上的数个开口经配置以跨越基板的径向表面而均匀地分布气体。气体的分布可以将热处理期间未反射回基板的辐射能耦合至板的吸收区域,由此开始基板的冷却。在本发明中所提供的方法及设备允许用于快速热处理基板的可控制的及有效的手段。
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公开(公告)号:CN106057649B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201610565609.2
申请日:2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中,该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号:CN105374717B
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201510817798.3
申请日:2011-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 布莱克·R·凯尔梅尔 , 阿伦·M·亨特 , 亚历山大·N·勒纳
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备,该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层,且反射板为反射板组件的一部分,其中反射板组设至底板。
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公开(公告)号:CN106057649A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610565609.2
申请日:2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中,该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号:CN101978481B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN200980110262.0
申请日:2009-03-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在快速热处理过程中达成均匀加热或冷却基板的设备与方法。更明确地说,公开了在快速热处理过程中控制支撑基板的边缘环与/或反射体平板的温度以改善横跨基板的温度均匀性的设备与方法,其包括邻近边缘环以加热或冷却边缘环的热团或平板。
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公开(公告)号:CN103109359B
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201180038683.4
申请日:2011-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 布莱克·R·凯尔梅尔 , 阿伦·M·亨特 , 亚历山大·N·勒纳
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B5/06 , F27B5/14 , F27B5/18 , F27D11/02 , F27D2019/0003 , H01L21/67011 , H01L21/67248
Abstract: 本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备,该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层,且反射板为反射板组件的一部分,其中反射板组设至底板。
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公开(公告)号:CN102210017B
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN200980144472.1
申请日:2009-11-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 库赫斯特·索瑞伯基 , 约瑟夫·M·拉内什 , 沃尔夫冈·阿德霍尔德 , 阿伦·M·亨特 , 布莱克·R·凯尔梅尔 , 亚历山大·N·勒纳 , 尼尔·梅里
IPC: H01L21/324 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67259 , C23C16/46 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L21/6835 , H01L21/68742
Abstract: 描述了用于快速热处理平坦基板的方法及装置,所述方法及装置包括使所述基板轴向地对准于基板支撑件或对准于依实验判定的位置。所述方法及装置包括判定所述基板与所述基板支撑件的相对定向的传感器系统。
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公开(公告)号:CN102792426B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201180013249.0
申请日:2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中,该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号:CN105374717A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510817798.3
申请日:2011-08-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 布莱克·R·凯尔梅尔 , 阿伦·M·亨特 , 亚历山大·N·勒纳
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B5/06 , F27B5/14 , F27B5/18 , F27D11/02 , F27D2019/0003 , H01L21/67011 , H01L21/67248
Abstract: 本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备,该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层,且反射板为反射板组件的一部分,其中反射板组设至底板。
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