公开(公告)号：CN106057649A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610565609.2

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792425B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180013229.3

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102782816B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN102822947B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180013212.8

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  孙士雨

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L27/11521

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN106024587A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610557179.X

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792426B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180013249.0

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792426A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013249.0

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102782816A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN106057649B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201610565609.2

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·M·亨特 ,  汤静 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  王安川 ,  妮琴·K·英吉 ,  马尼施·赫姆卡 ,  乔斯·A·马林

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L27/11521

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN106024587B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201610557179.X

申请日：2011-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11521

摘要： 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。