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公开(公告)号：CN103069486B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN106057649A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610565609.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN103069486A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN107492386A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710611689.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102792425B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180013229.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103975388A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060754.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·希尔金 , 罗曼·古科 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 彼得·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/127
CPC classification number: C23C14/5826 , C23C14/042 , C23C14/0605 , C23C14/48 , C23C14/5873 , G11B5/62 , G11B5/85 , G11B5/851 , G11B5/858
Abstract: 本发明所述的实施例提供用于通过将离子通过压印的氧反应掩模注入到磁性基板的磁致激活表面来处理磁性基板，和通过将基板暴露于含氧等离子体来去除掩模的方法和设备，所述磁性基板具有形成在所述磁性基板上的压印的、氧反应掩模，其中离子不降低掩模的氧反应性。掩模可以是无定形碳，通过所述无定形碳，含碳离子被注入到磁致激活表面中。也可包含氢的含碳离子可通过激活烃气和氢气的混合物形成。氢气与烃气之比可被选择或调整以控制离子注入。
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公开(公告)号：CN106024587A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557179.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102792426B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180013249.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102792426A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013249.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN106057649B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610565609.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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