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公开(公告)号：CN107208259B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201680009216.1
申请日：2016-02-02
申请人： 日立金属株式会社
摘要： 本发明提供一种能够抑制在溅射时产生的微细颗粒产生的铬‑钛合金溅射靶材及其制造方法。铬‑钛合金溅射靶材的原子比的组成式是以Cr100‑X‑TiX、40≤X≤60表示，剩余部分包含不可避免的杂质，所述杂质中含有合计为1质量ppm以上且50质量ppm以下的Mg、Al、Si、Mn、Ni、Cu及Sn。以及铬‑钛合金溅射靶材的制造方法是将含有合计为1质量ppm以上且50质量ppm以下的Mg、Al、Si、Mn、Ni、Cu及Sn作为杂质的Ti粉末，与含有合计为1质量ppm以上且50质量ppm以下的Mg、Al、Si、Mn、Ni、Cu及Sn作为杂质的Cr粉末混合，并进行加压烧结。
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公开(公告)号：CN104662606B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201380049218.X
申请日：2013-08-06
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
发明人： 荻野真一
CPC分类号： G11B5/653 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C5/04 , C22C32/0005 , C22C33/02 , C22C33/0278 , C22C33/0292 , C22C38/002 , C22C38/16 , C23C14/3414 , C30B29/16 , C30B29/38 , G11B5/65 , G11B5/851 , H01F1/33 , H01F10/123 , H01F41/183 , C22C1/1084 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2201/11
摘要： 一种Fe‑Pt基磁性材料烧结体，其特征在于，含有BN和SiO2作为非磁性材料，在所述烧结体的切断面中的B或N的存在区域中存在Si和O。本发明的课题在于提供一种能够制作热辅助磁记录介质中的磁性薄膜，并且降低溅射时产生的粉粒量的高密度溅射靶。
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公开(公告)号：CN107836022A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201780002234.1
申请日：2017-01-06
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
摘要： 使用种子层提供具有包含适合于垂直磁记录的有序合金的磁记录层的垂直磁记录介质。或者，在确保必要的热稳定性的同时提高记录密度。或者，兼顾磁性层的增厚和粒径的微细化。是一种磁记录介质，其特征在于依次包括基板、第1种子层、含有ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层，且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN107430872A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019575.5
申请日：2016-06-02
申请人： 富士电机株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： G11B5/8404 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/185 , C23C14/35 , G11B5/73 , G11B5/7379 , G11B5/851
摘要： 本发明的目的是提供一种具有含有(Mg1－xTix)O的种子层和含有L10型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。
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公开(公告)号：CN107123433A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710215468.6
申请日：2017-04-03
申请人： 复旦大学
CPC分类号： G11B5/70605 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/35 , G11B5/718 , G11B5/851
摘要： 本发明属于磁存储技术领域，具体为交换耦合复合磁记录介质及其制备方法。本发明复合磁记录介质是一种耦合复合膜，从下至上依次是：软磁层、中间层、硬磁层和保护层，衬底采用单晶MgO基片，软磁层为厚度t的FeRu层，中间层为Pt层，硬磁层为L10‑FePt，保护层为Pt层。本发明解决了传统ECC结构在信息写入时，下层与磁头距离过大所获磁场不足的问题。该结构中，硬磁层为5.0 nm厚的高有序度L10‑FePt薄膜，其矫顽力约为9.0 kOe；通过引入软磁层FeRu，当软磁层厚度为10.0 nm时复合薄膜的整体矫顽力可降至2.2kOe；当外场与膜面法线夹角从0°‑60°变化时，ECC薄膜的矫顽力角度特性曲线展现出良好的角度包容性。这些性能的提高对信息的写入十分有利。
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公开(公告)号：CN107068168A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161241.X
申请日：2016-12-15
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时，满足Kui＞Kui+1(i＝1，2)、Msi·ti＞Msi+1·ti+1(i＝1，2)、Kui＜Kui+1(i＝3)及Msi·ti＜Msi+1·ti+1(i＝3)的关系。
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公开(公告)号：CN104395497B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380010823.6
申请日：2013-01-15
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： H01J37/3426 , C23C14/0688 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/564 , G11B5/851 , H01J37/3429 , H01J2237/332
摘要： 一种强磁性材料溅射靶，其含有包含钴；或者钴、铬；或者钴、铂；或者钴、铬、铂的基体相和至少包含铬氧化物的氧化物相，其特征在于，含有合计为100重量ppm以上且15000重量ppm以下的Zr、W中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上。本发明的课题在于提供在保持高密度的同时使氧化物相的颗粒均匀地微细化且粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。
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公开(公告)号：CN104081458B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280067523.7
申请日：2012-12-12
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/00 , B22F5/00 , B22F9/04 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , B22F2302/25 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C19/07 , C22C32/0026 , C23C14/06 , G11B5/851 , H01J37/3429
摘要： 一种溅射靶，含有0.5摩尔％～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co‑Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。本发明的课题是提供抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成、溅射时粉粒产生少的颗粒膜形成用溅射靶。
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公开(公告)号：CN103781933B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201280040073.2
申请日：2012-08-14
申请人： 山阳特殊制钢株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , C22C19/07 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C45/008 , C22C45/02 , C22C45/04 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F41/183
摘要： 本发明提供一种具有低矫顽力的垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金。该合金包含如下成分：选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和B中的1种以上；W和Sn中的1种或2种(其中，W和Sn中的1种或2种的一部分或全部亦可被V和Mn中的1种或2种置换)；根据需要而选自Al、Cr、Mo、Si、P、C和Ge中的1种以上；根据需要含有的Ni和Cu中的1种或2种；以及余量含有Co和Fe，并且以at.％计满足：(1)6≤Ti％+Zr％+Hf％+Nb％+Ta％+B％／2≤24；(2)Zr％+Hf％≤14；(3)3≤W％+Sn％≤19；(4)0.20≤Fe％／(Fe％+Co％)≤0.90；(5)3≤W％+Sn％+V％+Mn％≤19(其中，V％+Mn％可以为0)；(6)0≤Al％+Cr％+Mo％+Si％+P％+C％+Ge％≤9和(7)0≤Ni％+Cu％≤5。
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公开(公告)号：CN103221999B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180055776.8
申请日：2011-11-17
申请人： 山阳特殊制钢株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , C22C19/00 , C22C19/03 , C22C19/05 , C22C19/07 , C22C38/002 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/105 , C22C38/12 , C22C38/14 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F41/183
摘要： 本发明提供一种磁记录介质的籽晶层用合金，所述合金可使软磁性基底膜(SUL)之上的Ni系中间层具有磁性、且可提高透磁率。这种合金含有：选自W、Mo、Ta、Cr、V及Nb中的一种或两种以上的M1元素，选自Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C及Ru中的一种或两种以上的M2元素，作为剩余部分的Ni、Fe及Co中的至少两种，其中，所述M1元素为合金的2～20at％，所述M2元素为合金的0～10at％。Ni、Fe及Co的量，以相对于Ni+Fe+Co的总量的at％计，为(i)Ni∶Fe∶Co＝98～20∶0～50∶0～60及Fe+Co≥1.5的比例，或者(ii)Ni∶Fe∶Co＝98～20∶2～50∶0～60的比例。
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