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公开(公告)号：CN107836022A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201780002234.1
申请日：2017-01-06
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
摘要： 使用种子层提供具有包含适合于垂直磁记录的有序合金的磁记录层的垂直磁记录介质。或者，在确保必要的热稳定性的同时提高记录密度。或者，兼顾磁性层的增厚和粒径的微细化。是一种磁记录介质，其特征在于依次包括基板、第1种子层、含有ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层，且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN103221999B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180055776.8
申请日：2011-11-17
申请人： 山阳特殊制钢株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , C22C19/00 , C22C19/03 , C22C19/05 , C22C19/07 , C22C38/002 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/105 , C22C38/12 , C22C38/14 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F41/183
摘要： 本发明提供一种磁记录介质的籽晶层用合金，所述合金可使软磁性基底膜(SUL)之上的Ni系中间层具有磁性、且可提高透磁率。这种合金含有：选自W、Mo、Ta、Cr、V及Nb中的一种或两种以上的M1元素，选自Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C及Ru中的一种或两种以上的M2元素，作为剩余部分的Ni、Fe及Co中的至少两种，其中，所述M1元素为合金的2～20at％，所述M2元素为合金的0～10at％。Ni、Fe及Co的量，以相对于Ni+Fe+Co的总量的at％计，为(i)Ni∶Fe∶Co＝98～20∶0～50∶0～60及Fe+Co≥1.5的比例，或者(ii)Ni∶Fe∶Co＝98～20∶2～50∶0～60的比例。
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公开(公告)号：CN105321536A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410742709.9
申请日：2014-12-08
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/7325 , G11B5/732
摘要： 本发明提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。
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公开(公告)号：CN104700849A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410068180.7
申请日：2014-02-27
申请人： 株式会社东芝
发明人： 岩崎刚之
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/732 , G11B5/7325
摘要： 本发明提供能得到磁性粒子的良好结晶取向性和低粒径分散、且具有良好的记录再现特性、并能进行高密度记录的垂直磁记录介质及使用其的磁记录再现装置。该装置具备：取向控制层，其由具有fcc结构的镍合金所构成；非磁性缓冲层，其包括具有fcc结构的银；非磁性种子层，其由具有fcc结构的银粒子和设置于银粒子间的非晶质的锗晶界所构成；非磁性中间层，其且由钌或钌合金所构成；以及垂直磁记录层，取向控制层和非磁性缓冲层、非磁性缓冲层和非磁性种子层接触地形成。
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公开(公告)号：CN101923864B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010202485.4
申请日：2010-06-09
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , Y10T428/24975
摘要： 垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置。根据一个实施方案，垂直磁记录介质包括在衬底上方的至少一个软磁性底层；在所述至少一个软磁性底层上方的晶种层；在所述晶种层上方的中间层；在所述中间层上方的磁记录层；以及在所述磁记录层上方的保护层，其中所述晶种层包括在第一晶种层上方的第二晶种层。在另一个实施方案中，所述晶种层为至少两个周期的层积膜单元的层积结构，所述层积膜单元包括第一晶种层和第二晶种层。所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。根据更多的实施方案，还公开了其他结构。
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公开(公告)号：CN103715351A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310459951.0
申请日：2013-09-27
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： H01F10/14 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/8404 , G11B5/85 , H01F10/16 , H01F41/22 , Y10T428/24628 , Y10T428/25
摘要： 本申请公开形成磁性材料的方法以及由此形成的制品。在衬底上形成磁性材料层的方法，该方法包括：将衬底配置在腔内；将衬底的温度控制在一衬底温度下，该衬底温度等于或低于大约250℃；以及将一种或多种前体引入腔内，该一种或多种前体包括：钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)或其组合，其中前体在衬底温度下化学地分解，并且磁性材料层被形成在衬底上，该磁性材料包括一种或多种前体的至少一部分，并且该磁性材料具有至少约1特斯拉(T)的磁通密度。
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公开(公告)号：CN103534757A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023252.5
申请日：2012-05-14
申请人： 昭和电工株式会社
发明人： 桥本笃志
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/732 , Y10T156/10
摘要： 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，并能够实现更高记录密度化的磁记录介质。本发明的磁记录介质，至少在非磁性基板之上按顺序层叠有软磁性基底层（30）、种子层（31、32）、取向控制层（33）和垂直磁性层。软磁性基底层（30）具有非晶或微晶结构。种子层（31、32）包含第1种子层（31）和在其上以岛状或网状形成的第2种子层（32），所述第1种子层（31）包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层（32）包含金属。取向控制层（33）以及垂直磁性层中，以第2种子层（32）为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
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公开(公告)号：CN102237098A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110038767.X
申请日：2011-02-16
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/855 , Y10T428/12076 , Y10T428/12465 , Y10T428/12472 , Y10T428/12674
摘要： 本发明涉及膜堆叠和垂直磁记录盘。硅/金(Si/Au)双层籽结构位于膜堆叠中非晶或晶体下层与具有良好定义的晶体结构的上层之间。该籽结构包括在下层的基本平坦表面上的Si层和该Si层上的Au层。Si/Au界面开始Au层的生长，该Au层具有fcc晶体结构且(111)面在层平面中取向。生长在Au层上的上层具有fcc或hcp晶体结构。如果上层是fcc材料则其[111]方向基本垂直于Au层的(111)面取向；如果上层是hcp材料则其c轴基本垂直于Au层的(111)面取向。
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公开(公告)号：CN101295516A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710136153.9
申请日：2007-07-19
申请人： 贺利氏有限公司
摘要： 提供一种磁记录介质，包含基底、沉积于基底上的密排六方种子层、沉积于种子层上的密排六方衬层和沉积于衬层上的密排六方记录层。该种子层由陶瓷构成。还提供了一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：溅射第一溅射靶，将密排六方种子层沉积于基底上，溅射第二溅射靶，使密排六方的衬层沉积于种子层上，和溅射第三溅射靶，使密排六方磁记录层沉积于衬层上。该种子层由陶瓷构成。
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