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公开(公告)号：CN107958765A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711116536.X
申请日：2017-11-13
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明涉及一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构：基片/（0.1～100nm）Ta和半金属元素的合金化合物/多层膜/（0.1～100nm）Ta和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在上述多层膜两边沉积（0.1～100.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来避免Ta的扩散，同时改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的自由程，进而达到提高薄膜的垂直磁各向异性、改善其热稳定性的目的，以满足磁性随机存储器和磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN1067327A
公开(公告)日：1992-12-23
申请号：CN92103779.1
申请日：1992-05-23
申请人： 阿鲁普斯电气株式会社
发明人： 上原敏夫
摘要： 一磁心装置，包括：一由Fe-Ni型磁性合金构成的磁心；一含NiO和FeO的形成于磁心之上的基础氧化层；一含Fe3O4的中间氧化层，一含Fe2O3的表面氧化层。这种磁心装置对Fe-Ni型磁性合金构成的习用磁心在耐磨能力和附着能力上有所改进。
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公开(公告)号：CN103855298B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310625298.0
申请日：2013-11-28
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/647 , G11B5/653 , G11B5/84 , H01F41/22
摘要： 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。
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公开(公告)号：CN107346697A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710649597.6
申请日：2017-08-02
申请人： 新疆大学
CPC分类号： H01F10/005 , H01F1/445 , H01F10/18 , H01F41/22
摘要： 本发明提供了一种乙二醇基磁流体复合膜及其制备方法，涉及磁性复合材料技术领域，主要由按质量份数计的如下组分制备而成：乙二醇基磁流体90-110份，聚乙烯醇15-25份，去离子水70-90份，其中，乙二醇基磁流体主要由纳米四氧化三铁、乙二醇和分散稳定剂制备而成，缓解了现有磁流体中，载液基质为水基或油基，使得磁性纳米颗粒的分散程度一直没有明显提升，导致磁流体复合膜性能受到限制的技术问题，达到了通过乙二醇基磁流体、聚乙烯醇和去离子水相互协同配合，使磁性颗粒均匀分布于复合膜中，让复合膜的在保持良好顺磁性能的基础上，饱和磁化强度更大，单位质量磁化率更高，应变能力更好，从而发挥更好磁变性能的技术效果。
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公开(公告)号：CN105568265A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610029831.0
申请日：2016-01-12
申请人： 河南大学
CPC分类号： C23C18/1694 , H01F41/22 , H01F41/24
摘要： 本发明涉及一种高Fe含量掺杂BaTiO3多铁薄膜材料及其制备方法，其分子式为BaTi1-xFexO3，x为掺杂成分的原子比，x＝0.01～0.4，其制备方法，包括有如下依次步骤：1)前驱体制备；2)衬底清洗预处理；3)高掺杂BaTiO3:Fe多铁薄膜的制备：将步骤1)制得的高掺杂BaTiO3:Fe溶胶前驱体旋涂于步骤2)所述的衬底上，然后对其进行阶梯退火；4)多次重复步骤3)的涂胶、退火过程，得到需要厚度的薄膜样品。本发明的前驱体溶液澄清透明，能够长时间存放；所生长的薄膜表面均匀致密，结晶性能好，无杂相，且生成的薄膜厚度可控性好，单向性高；薄膜材料在室温下具有较好的铁电和铁磁性。
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公开(公告)号：CN105551794A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511008671.3
申请日：2015-12-29
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01F41/22 , H01F1/40 , H01F10/193 , C23C16/32 , C23C16/56
CPC分类号： H01F41/22 , C23C16/325 , C23C16/56 , H01F1/401 , H01F10/193
摘要： 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。
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公开(公告)号：CN103132015A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210387327.X
申请日：2012-10-12
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： C23C16/4404 , B05C21/005 , C23C14/042 , C23C16/042 , G03F1/00 , H01F41/22 , H01L51/0011
摘要： 沉积掩模包括沉积掩模主体和涂层。掩模主体包括穿透掩模主体的多个狭缝。涂层涂覆于所述掩模主体的整个表面上。涂层由与掩模主体的材料不同的材料制成，并且其磁力强于掩模主体的磁力。狭缝中的每一个均具有开口区，并且涂层的厚度控制开口区的宽度。光刻处理被用来形成多个狭缝。
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公开(公告)号：CN1954395A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580008928.3
申请日：2005-03-23
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , 株式会社新王磁材 , 并木精密宝石株式会社
CPC分类号： H01F41/22 , H01F1/057 , H01F10/126 , H01F41/0253 , H01F41/0293 , Y10T428/32 , Y10T428/325
摘要： 本发明提供了一种R－Fe－B系薄膜磁铁，在物理成膜的含有28－45质量％的R元素(其中，R是镧系稀土元素中的1种或2种以上)的R－Fe－B系合金中，具有晶粒直径0.5－30μm的R2Fe14B晶体和在该晶体边界处富集R元素的晶界相的复合组织。该薄膜磁铁的磁化性提高。在物理成膜过程中和/或随后的热处理中，通过加热至700－1200℃，进行晶粒生长和形成富集R元素的晶界相，由此，可以制造上述R－Fe－B系薄膜磁铁。
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公开(公告)号：CN1060284C
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN92103779.1
申请日：1992-05-23
申请人： 阿鲁普斯电气株式会社
发明人： 上原敏夫
摘要： 一磁心装置，包括：一由Fe-Ni型磁性合金构成的磁心；一含NiO和FeO的形成于磁心之上的基础氧化层；一含Fe3O4的中间氧化层，一含Fe2O3的表面氧化层。这种磁心装置对Fe-Ni型磁性合金构成的磁心在耐磨能力和附着能力上有所改进。
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公开(公告)号：CN107134341A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710266362.9
申请日：2017-04-21
申请人： 东北大学
IPC分类号： H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/28 , H01F10/30 , H01F41/14 , H01F41/18 , H01F41/20 , H01F41/22
CPC分类号： H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/28 , H01F10/30 , H01F41/14 , H01F41/18 , H01F41/20 , H01F41/205 , H01F41/22
摘要： 本发明涉及一种强磁性介质薄膜，具体涉及一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法。本发明的技术方案如下：一种垂直取向强磁性介质薄膜，包括依次层叠的衬底、缓冲层、垂直取向强磁性介质层和保护层，所述衬底为单晶、多晶或非晶基片，所述缓冲层材质为具有六方晶体结构的无机非金属氮化物陶瓷，所述垂直取向强磁性介质层为钐钴薄膜、铝镍钴薄膜、鉄铂薄膜、铁钯薄膜、钴铂薄膜和/或钴钯薄膜，所述保护层为过渡金属、氮化物膜体材料或氧化物膜体材料。本发明提供的垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法，具有体积小、垂直磁化方向、作为存储单元的晶粒尺寸小、矫顽力大、稳定性高等优点，制备工艺简单，应用领域更广。
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