软磁薄膜铁芯及其制备方法、传感器

    公开(公告)号:CN114999762B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202210653407.9

    申请日:2022-06-09

    发明人: 吕辉

    摘要: 本发明公开一种软磁薄膜铁芯,包括绝缘衬底和软磁体,通过在软磁体内设置多层上下层叠分布的镂空网格,并在镂空网格的所有格腔中填充绝缘体,从而达到改变薄膜铁芯微观形态的效果,使薄膜铁芯整体呈现空间网格结构,有利于限制磁畴尺寸,促进铁芯的均匀饱和,从而有效降低薄膜铁芯的饱和磁感应强度和矫顽力,提高其软磁性能。本发明提出的软磁薄膜铁芯,其加工工艺过程可采用MEMS工艺进行。本发明提出的软磁薄膜铁芯的制备方法,采用如紫外光刻、电镀、湿法刻蚀等低成本标准MEMS工艺,可实现铁芯的标准化大批量生产,降低加工成本。本发明提出一种传感器,以软磁薄膜铁芯为敏感元件,能有效降低功耗,对灵敏度和噪声也有一定改善。

    一种磁性薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102103919A

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200910201430.9

    申请日:2009-12-18

    摘要: 本发明提供了一种磁性薄膜的制备方法。本发明方法包括磁性填充物的制备、磁性成膜物基质制备和成膜及施加磁场的过程。采用外磁场使树脂、橡胶、塑料、涂料、其他高分子聚合物等成膜物内磁性纳米或微米材料充填物定向有序排列的技术,在保持磁性纳米晶的各向异性特点的前提下,扩展磁性薄膜或磁性纳米薄膜的承载介质,从而拓展他们的应用领域。使磁性纳米晶的承载介质可以是树脂、橡胶、塑料、涂料、其他高分子聚合物等柔性介质,不只局限于硬质基片。本发明的成膜方法除了沉积法、自组装法,还有拉制法、吹制法、压延法和扩散法等。本发明采用分步合成工艺,增加了合成产物的可控性,有利于工业生产。

    一种应用于定向辐射调制的表面人工电磁材料

    公开(公告)号:CN101728054A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910243546.9

    申请日:2009-12-25

    IPC分类号: H01F10/00 H01F10/28 H01Q15/00

    摘要: 一种应用于定向辐射调制的表面人工电磁材料。该材料的制作步骤如下:(1)选择基底金属材料;(2)确定中心馈源的形状以及和辐射源的频段;(3)确定要制作a类凹槽的周期p,宽度w以及槽深l;(4)确定b类凹槽的周期d,宽度a和深度h;(5)在金属基板上一侧制作周期A类凹槽和周期B类凹槽,即可以得到定向辐射的表面人工电磁材料。本发明可以实现对金属表面波等效波矢的调制。在A类凹槽和B类凹槽的共同作用下,可以达到对远场辐射特性的调控。

    具有斯格明子结构的低矫顽力的稀土-Fe-B复合薄膜及制备方法

    公开(公告)号:CN110911085B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201911139291.1

    申请日:2019-11-20

    摘要: 本发明属于稀土永磁薄膜的制备领域,具体涉及一种具有斯格明子结构的低矫顽力的稀土‑Fe‑B复合薄膜及制备方法。该复合薄膜为X/Y、X/Y/X、Y/X/Y多层结构中的一种,其中X、Y为磁性层,其成分分别为Nd(RE1)Fe(M)B、Ce(RE2)Fe(M)B,采用磁控溅射方式制备;相邻的磁性层之间设有隔离层;所述复合薄膜具有自发形成的斯格明子结构。制备方法通过磁控溅射分次溅射钕铁硼和铈铁硼薄膜,两种成分的薄膜构成多层结构;然后经回火处理,得到具有低矫顽力、自发形成斯格明子结构的复合薄膜。该薄膜材料在微磁性磁性材料、电控磁记录、磁储存领域具有广泛的应用前景。

    磁性器件
    6.
    发明公开
    磁性器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN111725389A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201910732600.X

    申请日:2019-08-09

    摘要: 实施方式提供一种能够提高器件的特性的磁性器件。实施方式的磁性器件包括:设置于基板(80)的上方的第1磁性体(12A);基板(80)与第1磁性体(12A)之间的第2磁性体(11A);第1磁性体(12A)与第2磁性体(11A)之间的非磁性体(13A);设置于基板(80)与第2磁性体(11A)之间并包括非晶层的第1层(199A);以及设置于第1层(199A)与第2磁性体(11A)之间并包括结晶层的第2层(190A)。

    磁性二维金属氧化物及其可控掺杂浓度的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116543992A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310415223.3

    申请日:2023-04-18

    申请人: 武汉大学

    发明人: 何军 程瑞清 姜健

    摘要: 本发明公开了一种磁性二维金属氧化物及其可控掺杂浓度的制备方法和应用,二维金属氧化物的金属为M,制备二维金属氧化物时,采用与M原子半径接近的磁性掺杂剂进行掺杂,实现了二维金属氧化物、特别是二维非层状结构金属氧化物的高浓度掺杂,使得二维金属氧化物具有显著的铁磁性能。该制备方法制备成本低,所得高掺杂浓度的金属氧化物薄膜结晶质量高、环境稳定性好、尺寸、厚度、磁性可调,最薄几纳米。

    一种复合稀土永磁薄膜、其制备方法及其应用器件

    公开(公告)号:CN108630378B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201710161608.6

    申请日:2017-03-17

    IPC分类号: H01F10/28 H01F41/14

    摘要: 一种复合稀土永磁薄膜、其制备方法及其应用器件。所述薄膜包括衬底和生长在衬底之上的稀土永磁薄膜,其中所述衬底为形状记忆合金。采用磁控溅射、真空蒸镀、电沉积、物理气相沉积或化学气相沉积对衬底进行生长薄膜处理,生长出所述的稀土永磁薄膜。本发明的复合稀土永磁薄膜通过衬底马氏体相变过程产生的形状记忆效应,在薄膜和衬底的界面处形成晶格错配,从而能够在薄膜中连续可控地引入应变,实现对稀土永磁薄膜性能的调控和优化,使其满足电子产品小型化、轻薄化、高性能化的发展需求。

    一种复合稀土永磁薄膜、其制备方法及其应用器件

    公开(公告)号:CN108630378A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201710161608.6

    申请日:2017-03-17

    IPC分类号: H01F10/28 H01F41/14

    摘要: 一种复合稀土永磁薄膜、其制备方法及其应用器件。所述薄膜包括衬底和生长在衬底之上的稀土永磁薄膜,其中所述衬底为形状记忆合金。采用磁控溅射、真空蒸镀、电沉积、物理气相沉积或化学气相沉积对衬底进行生长薄膜处理,生长出所述的稀土永磁薄膜。本发明的复合稀土永磁薄膜通过衬底马氏体相变过程产生的形状记忆效应,在薄膜和衬底的界面处形成晶格错配,从而能够在薄膜中连续可控地引入应变,实现对稀土永磁薄膜性能的调控和优化,使其满足电子产品小型化、轻薄化、高性能化的发展需求。