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公开(公告)号：CN118053646B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410151218.0
申请日：2024-02-02
Applicant: 浙江麦格智芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于图形化永磁薄膜的磁码盘器件及制备方法，涉及磁性材料及器件技术领域。所述磁码盘器件，包括：磁码盘本体和多个预设形状薄膜；多个所述预设形状薄膜设置在所述磁码盘本体的外表面，由永磁薄膜材料组成，其中，多个所述预设形状薄膜的形状、尺寸以及间距均相同，且任意相邻的两个所述预设形状薄膜的磁化方向相反。相较于在连续永磁材料上间隔充磁的传统磁码盘(磁畴形状、尺寸以及畴壁界限不规则)，本发明基于图形化薄膜的磁码盘在降低磁极尺寸(从而提升磁极信号密度)、提高磁极及其输出波形信号的均匀性方面具有巨大优势。
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公开(公告)号：CN118053647B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410151220.8
申请日：2024-02-02
Applicant: 浙江麦格智芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于同向磁化的图形化永磁薄膜磁码盘器件及制备方法，涉及磁性材料及器件技术领域，包括：磁码盘本体，磁码盘本体的外表面设置多个由永磁薄膜材料组成的图形化薄膜；多个图形化薄膜的形状、尺寸以及间距均相同，且多个图形化薄膜的磁化方向与磁码盘本体之间的取向关系相同。本发明相较于在连续磁性材料上间隔充磁的传统磁码盘(需要使用昂贵的充磁设备进行精密复杂的充磁操作，且充磁后磁畴形状、尺寸以及畴壁界限不规则)，本发明基于同向磁化的图形化薄膜磁码盘器件无需交替充磁，具有充磁简单、磁极信号均匀、磁极密度高等优势。
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公开(公告)号：CN117116598B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202311060030.7
申请日：2023-08-22
Applicant: 上海甘戎新材料有限公司
IPC: H01F10/12 , H01F10/20 , H01F10/26 , H01F10/30 , H01M4/139 , H01M10/42 , H01M10/0525 , C09J7/28 , C09J7/29
Abstract: 本发明提供一种具有磁性的复合薄膜和使用该复合薄膜制备导电极片的制备方法。复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜包括磁性层以及形成于所述磁性层一个表面的粘合剂层；其中，在距离所述磁性层1cm的位置，所述磁性层的磁性吸附力为0.5Mpa以上，优选大于0.7Mpa。本发明的复合薄膜具有磁性层，利用磁性层的磁性吸附力将从粘结剂从集流体上剥离，具有优异的剥离效率，且易扫除，同时也不会产生剥离失效或者残胶问题。进一步地，本发明的导电极片的制备方法简单易行，原料易于获取，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN118053646A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410151218.0
申请日：2024-02-02
Applicant: 浙江麦格智芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于图形化永磁薄膜的磁码盘器件及制备方法，涉及磁性材料及器件技术领域。所述磁码盘器件，包括：磁码盘本体和多个预设形状薄膜；多个所述预设形状薄膜设置在所述磁码盘本体的外表面，由永磁薄膜材料组成，其中，多个所述预设形状薄膜的形状、尺寸以及间距均相同，且任意相邻的两个所述预设形状薄膜的磁化方向相反。相较于在连续永磁材料上间隔充磁的传统磁码盘(磁畴形状、尺寸以及畴壁界限不规则)，本发明基于图形化薄膜的磁码盘在降低磁极尺寸(从而提升磁极信号密度)、提高磁极及其输出波形信号的均匀性方面具有巨大优势。
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公开(公告)号：CN117727531A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311716136.8
申请日：2018-06-04
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117577445A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210936818.9
申请日：2022-08-05
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H01F41/14 , H01F41/30 , H01F10/10 , H01F10/12 , H10N50/01 , H10N50/10 , H10N52/01 , H10N50/85 , H10N52/85 , H10B61/00
Abstract: 本发明提供了一种实现无需外部磁场自旋轨道矩的方法及多层膜结构、霍尔棒与磁随机存储器。该方法是对多层膜结构利用氧化工程效应改变自旋轨道矩中类场力矩与类阻尼矩的比值大小；利用氧化工程效应改变自旋轨道矩中类场力矩与类阻尼矩的比值大小是通过利用氧原子和/或氧离子影响非铁磁层实现的，包括：在制备得到多层膜结构之后进行静置，或者，在氧化物层和铁磁层之间施加电压，使氧原子和/或氧离子迁移至非铁磁层和铁磁层之间的界面上。本发明利用氧化工程效应改变自旋轨道矩中类场力矩与类阻尼矩的比值大小，同时利用额外的面外自旋轨道矩以产生面内偏置场，最终实现无磁场磁矩翻转，结构简单且操作简便。
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公开(公告)号：CN117395978A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311687762.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 杭州象限科技有限公司
Abstract: 本申请涉及电磁屏蔽材料技术领域中的一种耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：S1，在纳米晶态软磁合金带材上覆上双面胶，制得覆胶纳米晶带材；S2，对所述覆胶纳米晶带材进行初级碎磁处理，制得单层纳米晶磁性层；S3，对所述单层纳米晶磁性层进行多层复合制得复合材料，对所述复合材料进行去应力处理，制得多层纳米晶磁性层；S4，对所述多层纳米晶磁性层进行次级碎磁处理，制得耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料。本申请所提供的耐热型纳米晶隔磁屏蔽材料的制备方法创造性地采用两级碎磁结合去应力处理工艺，并采用特定的双面胶，使得制得的隔磁屏蔽材料具有更为优异的热稳定性。
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公开(公告)号：CN117116598A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311060030.7
申请日：2023-08-22
Applicant: 上海甘戎新材料有限公司
IPC: H01F10/12 , H01F10/20 , H01F10/26 , H01F10/30 , H01M4/139 , H01M10/42 , H01M10/0525 , C09J7/28 , C09J7/29
Abstract: 本发明提供一种具有磁性的复合薄膜和使用该复合薄膜制备导电极片的制备方法。复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜包括磁性层以及形成于所述磁性层一个表面的粘合剂层；其中，在距离所述磁性层1cm的位置，所述磁性层的磁性吸附力为0.5Mpa以上，优选大于0.7Mpa。本发明的复合薄膜具有磁性层，利用磁性层的磁性吸附力将从粘结剂从集流体上剥离，具有优异的剥离效率，且易扫除，同时也不会产生剥离失效或者残胶问题。进一步地，本发明的导电极片的制备方法简单易行，原料易于获取，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN109314181B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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公开(公告)号：CN114788029A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080080014.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Abstract: 可以在电极层和选择器材料层上方按顺序形成含难熔金属的蚀刻停止层、钌蚀刻停止层和导电材料层。可以采用一系列各向异性蚀刻工艺以：相对于钌蚀刻停止层具有选择性地蚀刻导电材料层，相对于含难熔金属的蚀刻停止层具有选择性地蚀刻钌蚀刻停止层，并在最小过度蚀刻范围内将含难熔金属的蚀刻停止层蚀刻到电极层中。随后可以在不暴露于蚀刻剂气体的等离子体的情况下对选择器材料层进行各向异性蚀刻，以蚀刻可能包括会损坏选择器材料的含氟等离子体的含难熔金属的蚀刻停止层和导电材料层。
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