一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114023561A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111269911.0

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用,属于二维材料制备领域。所述方法包括:在基底上生长磁性薄膜,退火使其形成磁性纳米颗粒;利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面,形成曲面包覆结构,得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料,可以有效地控制材料尺寸,在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下;而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果,并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。

    用于制造具有三维磁结构的器件的方法

    公开(公告)号:CN112349509A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011235493.9

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 提供了一种用于制造具有三维磁结构的器件的方法。该方法包括:将磁性粒子施加或引入到载体元件上或载体元件中,其中在所述磁性粒子之间形成多个至少部分互连的空腔,并且所述磁性粒子在接触点处彼此接触。该方法还包括:通过对磁性粒子和载体元件的布置进行涂覆来连接接触点处的磁性粒子,其中空腔至少部分地被在涂覆时产生的层渗透,使得结果是三维磁结构。该方法还包括:在所述载体元件或附加载体元件上提供导体环路布置,使得:当电流流经导体环路布置时,(1)导体环路布置的电感被三维磁结构改变,或(2)由电流引起的磁场使得力作用在三维磁结构或导体环路布置上,或(3)当三维磁结构的位置改变时,通过导体环路布置感生电流。

    一种具有交换偏置效应的氮化铁基多铁性异质结构及制备方法

    公开(公告)号:CN112242221A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202011149704.7

    申请日:2020-10-23

    Applicant: 天津大学

    Inventor: 米文博 刘祥

    Abstract: 本发明涉及一种具有交换偏置效应的氮化铁基多铁性异质结构及制备方法;通过磁控溅射法将铁磁性的Fe4N和SrRuO3薄膜与多铁性的BiFeO3薄膜复合在一起,形成Fe4N/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3多铁性异质结构,从下到上依次为SrTiO3(111)单晶基片、50nm厚的SrRuO3层、30nm厚的BiFeO3层和20nm厚的Fe4N层;Fe4N和SrRuO3为铁磁层,BiFeO3为反铁磁层。施加50kOe冷却磁场时,在3K下,异质结构的交换偏置场达到了‑527Oe;本发明所采用的磁控溅射法,可以制备出高质量单相Fe4N薄膜,薄膜表面平整度高,在工业化生产上具有明显优势。

    一种二硒化铬二维材料的制备和应用

    公开(公告)号:CN111206283B

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010103134.1

    申请日:2020-02-19

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种二维材料制备领域,具体公开了一种CrSe2二维材料的制备方法,CrCl3、Se粉经加热挥发,并在载气作用以及700‑720℃的沉积温度下生长在300nm‑SiO2/Si以及WSe2基底表面,制得所述的CrSe2二维材料;所述的载气为保护气和H2的混合气氛,其中,保护气的流量为50~150sccm;H2的流量为1~2sccm。本发明还包括采用所述的制备方法制得的CrSe2二维材料具有磁性。本发明首次在WSe2基底上成功合成出了超薄CrSe2二维材料,并发现相较之于300nm‑SiO2/Si基底,CrSe2二维材料能在WSe2基底上生长得更薄,且通过大量研究,获得了制得结晶度高的CrSe2二维材料。

    一种二硒化铬二维材料的制备和应用

    公开(公告)号:CN111206283A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010103134.1

    申请日:2020-02-19

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种二维材料制备领域,具体公开了一种CrSe2二维材料的制备方法,CrCl3、Se粉经加热挥发,并在载气作用以及700-720℃的沉积温度下生长在300nm-SiO2/Si以及WSe2基底表面,制得所述的CrSe2二维材料;所述的载气为保护气和H2的混合气氛,其中,保护气的流量为50~150sccm;H2的流量为1~2sccm。本发明还包括采用所述的制备方法制得的CrSe2二维材料具有磁性。本发明首次在WSe2基底上成功合成出了超薄CrSe2二维材料,并发现相较之于300nm-SiO2/Si基底,CrSe2二维材料能在WSe2基底上生长得更薄,且通过大量研究,获得了制得结晶度高的CrSe2二维材料。

    一种磁粘性体柔性发电装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN110224629A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910541917.5

    申请日:2019-06-21

    Inventor: 李翔 余鹏 牛小东

    Abstract: 本发明公开一种磁粘性体柔性发电装置及其制备方法,所述磁粘性体柔性发电装置包括第二电极层、间隔设置在所述第二电极层上方的第一电极层以及间隔设置在所述第二电极层下方的永磁体,所述第一电极层背离永磁体的一表面设置有磁粘性体薄膜;所述永磁体用于控制所述磁粘性体薄膜运动,所述磁粘性体薄膜带动所述第一电极层和第二电极层摩擦发电。本发明提供的磁粘性体柔性发电装置由于永磁体与第一电极层之间采用非接触式的推动方式,极大程度地降低了人为操作误差引起的微观不稳定性,具有更稳定的电压输出;其结构简单,加工成本较低,对环境要求较低,可应用于灰尘、水下等极端环境,极大地提高了纳米发电薄膜的稳定性、可靠性和经济性。

    一种柔性薄膜、器件及调控柔性薄膜局域磁化方向的方法

    公开(公告)号:CN110010342A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910131434.8

    申请日:2019-02-22

    Inventor: 安志强 王海 李英

    Abstract: 本发明提供一种柔性薄膜、器件及调控柔性薄膜局域磁化方向的方法,该方法包括:S1、将柔性基底进行清洗,并以一曲率进行弯曲固定,形成基片;S2、通过磁控溅射方式在所述基片上形成磁性纳米薄膜;S3、展平S2中制备好的磁性纳米薄膜,获得中心到边缘磁化方向连续变化的柔性薄膜。本发明基于磁控溅射制备纳米薄膜技术,采用在基底上沉积磁性纳米薄膜。本发明提供的柔性薄膜的局域磁化方向在毫米尺度范围连续可调;薄膜厚度,磁控溅射的功率,弯曲基底的位置等参数均可对其便捷的调控。本发明为在柔性基底上制备功能性磁薄膜器件提供了大规模制备方案,具有一定的商业实现价值。

    一种β-FeSi2纳米六面体颗粒壳聚糖复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN106867040B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201710113825.8

    申请日:2017-02-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种β‑FeSi2纳米六面体颗粒壳聚糖复合材料制备方法,将无水氯化亚铁和硅片在800±10℃条件下反应,合成β‑FeSi2纳米六面体颗粒;配置质量比0.2±0.03%的羧化壳聚糖水溶液;用移液枪吸取羧化壳聚糖水溶液滴涂在立方体颗粒薄膜表面;将滴涂后的薄膜放置在真空干燥箱中,室温下干燥20min,形成结合紧密的复合薄膜,即β‑FeSi2纳米六面体颗粒壳聚糖复合材料。复合材料具有增强的室温铁磁性,在磁性传感、半导体自旋电子学、生物医疗等应用方面都极具潜力。

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