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公开(公告)号：CN114023561A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111269911.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。
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公开(公告)号：CN114023561B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111269911.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。
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