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公开(公告)号：CN108649288B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201810485826.X
申请日：2018-05-21
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC: H01M10/44 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种防止锂离子电池过充的方法，属于锂离子电池领域，利用电池电极活性材料中电压平台A和电压平台B之间较大的工作电压差值实现防过充，其中，电压平台B高于电压平台A，电压平台A提供额定容量，电压平台B作为过充预留容量。其中，电压平台A和电压平台B可以分别由电池电极活性材料中主相成分和辅相成分组成，或者电压平台A和电压平台B可以由同一电极活性材料中不同的活性元素来提供，其中电压平台A由第一活性元素提供，电压平台B由第二活性元素提供。本发明方法应用时候具有多重过充保护作用，安全可靠，还能应用在钠离子电池中。
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公开(公告)号：CN110224177B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910380977.3
申请日：2019-05-08
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01M10/058 , H01M10/052 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种锂金属/钠金属负极保护方法及产品，属于锂金属/钠金属电池负极材料及电化学领域，在任意气氛下，将一类界面修饰材料预先构筑在电池用隔膜上，得到预制隔膜，所述界面修饰材料与锂负极的相互作用比与隔膜的相互作用更强，执行电池组装工序，其中，将预制隔膜上有界面修饰材料的一面紧密贴合金属锂负极，注入电解液，在电解液浸润下，利用界面修饰材料与金属锂之间的物理化学作用，界面修饰材料自发从隔膜向金属锂负极表面转移，从而自动实现对金属锂负极的保护。同样原理的方法也适用于钠金属电池。本发明方法无须对锂负极或者钠负极直接操作，安全，可靠，工艺简单，适用条件宽泛，具有较强的工艺性和较好的实际效果。
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公开(公告)号：CN117186462A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311474946.7
申请日：2023-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C08J5/18 , C08L29/04 , C08L75/04 , C08K7/00 , C08K3/30 , C08K7/06 , C08K7/08 , C08K3/02 , H10K30/35 , H10K30/60
Abstract: 本发明公开了一种具有取向桥接结构的聚合物基柔性薄膜、制备及应用，属于柔性光电材料技术领域。本发明通过溶液刮涂法制备了包含纳米材料取向桥接的聚合物基柔性薄膜材料，该取向桥接结构不但增强了薄膜的弯曲稳定性，并且在薄膜内部形成了高速有序的载流子迁移通道，使得含有该聚合物基柔性薄膜的光电探测器具有更高的载流子迁移率、更快的响应时间、更好的响应灵敏度和探测率，因此本发明制备的聚合物基柔性薄膜以及相应的光电探测器在人体健康监测、柔性光电成像等领域的应用前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN108649288A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810485826.X
申请日：2018-05-21
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC: H01M10/44 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种防止锂离子电池过充的方法，属于锂离子电池领域，利用电池电极活性材料中电压平台A和电压平台B之间较大的工作电压差值实现防过充，其中，电压平台B高于电压平台A，电压平台A提供额定容量，电压平台B作为过充预留容量。其中，电压平台A和电压平台B可以分别由电池电极活性材料中主相成分和辅相成分组成，或者电压平台A和电压平台B可以由同一电极活性材料中不同的活性元素来提供，其中电压平台A由第一活性元素提供，电压平台B由第二活性元素提供。本发明方法应用时候具有多重过充保护作用，安全可靠，还能应用在钠离子电池中。
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公开(公告)号：CN116234427A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310277621.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。本发明将具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片应用于功能层，使得阻变存储器的阻态变化由功能层本征离子迁移导致，可摆脱对活性金属电极的依赖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117186462B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311474946.7
申请日：2023-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C08J5/18 , C08L29/04 , C08L75/04 , C08K7/00 , C08K3/30 , C08K7/06 , C08K7/08 , C08K3/02 , H10K30/35 , H10K30/60
Abstract: 广阔。本发明公开了一种具有取向桥接结构的聚合物基柔性薄膜、制备及应用，属于柔性光电材料技术领域。本发明通过溶液刮涂法制备了包含纳米材料取向桥接的聚合物基柔性薄膜材料，该取向桥接结构不但增强了薄膜的弯曲稳定性，并且在薄膜内部形成了高速有序的载流子迁移通道，使得含有该聚合物基柔性薄膜的光电探测器具有更高的载流子迁移率、更快的响应时间、更
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公开(公告)号：CN110224177A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910380977.3
申请日：2019-05-08
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01M10/058 , H01M10/052 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种锂金属/钠金属负极保护方法及产品，属于锂金属/钠金属电池负极材料及电化学领域，在任意气氛下，将一类界面修饰材料预先构筑在电池用隔膜上，得到预制隔膜，所述界面修饰材料与锂负极的相互作用比与隔膜的相互作用更强，执行电池组装工序，其中，将预制隔膜上有界面修饰材料的一面紧密贴合金属锂负极，注入电解液，在电解液浸润下，利用界面修饰材料与金属锂之间的物理化学作用，界面修饰材料自发从隔膜向金属锂负极表面转移，从而自动实现对金属锂负极的保护。同样原理的方法也适用于钠金属电池。本发明方法无须对锂负极或者钠负极直接操作，安全，可靠，工艺简单，适用条件宽泛，具有较强的工艺性和较好的实际效果。
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公开(公告)号：CN120076379A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510172950.0
申请日：2025-02-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维晶体管器件技术领域，具体为一种基于自偏置栅极的可重构晶体管及其制备方法，包括绝缘衬底、底部栅极、介电层、沟道二维材料、漏极电极、源极电极和底部自偏置栅极。底部栅极和自偏置栅极位于介电层下方，沟道二维材料位于介电层上方，漏极电极和源极电极搭建在二维材料上方；自偏置栅极穿过介电层和沟道二维材料与源极相连。器件工作时，漏极、源极和底部栅极形成三端的场效应晶体管器件，对漏源电极施加正负偏压时，自偏置栅极与沟道之间产生相反的电势差，从而对沟道产生不同的掺杂效果，使晶体管呈现出不同的极性。本发明的可重构晶体管可降低电路制造的工艺复杂程度，减少晶体管数量，降低功耗，满足未来集成电路的发展需求。
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公开(公告)号：CN119789501A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411890073.2
申请日：2024-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10D64/68
Abstract: 本发明涉及硼酸盐晶体作为栅极介电层材料的应用，属于半导体器件技术领域。本发明硼酸盐晶体可以通过剥离获得二维薄片且剥离后不会破坏晶体的内部结构，由于硼酸盐晶体的惰性表面，所制备的二维薄片表面无悬挂键；本发明硼酸盐晶体范德华介电材料可以通过转移的方法用于二维材料电子器件的栅极介电层；本发明选择的硼酸盐晶体KBe2BO3F2和NH4Be2BO3F2的禁带宽度均大于8eV，具有良好的绝缘性质，将其剥离后的薄片作为范德华介电材料，可用于高性能二维材料电子器件的制备。
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公开(公告)号：CN118756333A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410757903.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/46 , C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于二维材料相关技术领域，其公开了一种二维金属硫属化合物同质结阵列及其晶圆级制备方法与应用，包括以下步骤：首先，在基底上制备金属氧化物陈列；接着，以硫或者硒、以及金属氧化物为源物质，采用化学气相沉积法在所述基底上沉积得到二维金属硫属化合物同质结阵列。本发明以沉积的金属氧化物阵列作为形核点，有效的控制了二维金属硫属化合物的生长位置和行为。
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