公开(公告)号：CN119789501A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411890073.2

申请日：2024-12-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 翟天佑 ,  徐永善

IPC: H10D64/68

Abstract: 本发明涉及硼酸盐晶体作为栅极介电层材料的应用，属于半导体器件技术领域。本发明硼酸盐晶体可以通过剥离获得二维薄片且剥离后不会破坏晶体的内部结构，由于硼酸盐晶体的惰性表面，所制备的二维薄片表面无悬挂键；本发明硼酸盐晶体范德华介电材料可以通过转移的方法用于二维材料电子器件的栅极介电层；本发明选择的硼酸盐晶体KBe2BO3F2和NH4Be2BO3F2的禁带宽度均大于8eV，具有良好的绝缘性质，将其剥离后的薄片作为范德华介电材料，可用于高性能二维材料电子器件的制备。

公开(公告)号：CN118213409B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410638133.5

申请日：2024-05-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 翟天佑 ,  徐永善 ,  刘开朗 ,  李会巧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种铁电负电容晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明铁电负电容晶体管包括铁电介电材料、无机分子晶体层和沟道材料；所述无机分子晶体层位于铁电介电材料和沟道材料之间；所述铁电介电材料用于在极化翻转时会产生负电容效应，从而使晶体管器件突破亚阈值摆幅极限，所述无机分子晶体层用于匹配铁电介电材料的电容并改善所述铁电介电材料与所述沟道材料的界面，从而减小晶体管器件的回滞。

公开(公告)号：CN118213409A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410638133.5

申请日：2024-05-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 翟天佑 ,  徐永善 ,  刘开朗 ,  李会巧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种铁电负电容晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明铁电负电容晶体管包括铁电介电材料、无机分子晶体层和沟道材料；所述无机分子晶体层位于铁电介电材料和沟道材料之间；所述铁电介电材料用于在极化翻转时会产生负电容效应，从而使晶体管器件突破亚阈值摆幅极限，所述无机分子晶体层用于匹配铁电介电材料的电容并改善所述铁电介电材料与所述沟道材料的界面，从而减小晶体管器件的回滞。

公开(公告)号：CN114334637A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111639579.2

申请日：2021-12-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 翟天佑 ,  徐永善 ,  刘开朗 ,  李会巧

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用，属于半导体器件技术领域。方法包括以下步骤：(1)将无机分子晶体生长在材料表面；(2)在该无机分子晶体层上进一步利用原子层沉积生长介电材料。本发明以无机分子晶体材料为源，所得分子晶体层对于介电材料原子层沉积的前驱体具有良好的润湿性与吸附性，可实现在材料表面的介电层集成。无机分子晶体层和介电材料的厚度可控，可用于高性能电子器件的制备，易于实现规模化制备和集成。