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公开(公告)号：CN119208200A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411313532.0
申请日：2024-09-20
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片施加磁粉层和充磁退磁装置及加磁芯片的制作方法，涉及半导体技术领域，该装置包括气体存储罐、通气管道、流量计量阀、送粉器、分粒机、沉积室、主控制器和真空泵，真空泵和主控制器均与沉积室连接，沉积室与气体存储罐分别连接在通气管道的两端，通气管道上从左至右依次连接有流量计量阀、送粉器和分粒机；沉积室内从下至上依次设置有垫块、三维运动平台、充退磁装置、载物基板、芯片蓝膜、LED芯片和喷粉箱。本发明采用上述结构的一种LED芯片施加磁粉层和充磁退磁装置及加磁芯片的制作方法，可以根据需要给芯片沉积不同厚度的微型磁粉薄膜，并能给芯片充磁且其工作环境相对简单，可以在室温下进行。
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公开(公告)号：CN118053649A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311129829.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 恒劲科技股份有限公司
IPC: H01F17/00 , H01F17/04 , H01F27/24 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/04 , H01F41/26 , H01F41/20 , H01F41/22
Abstract: 一种电感器结构及其制法，包括于半导体封装载板中形成一电感线圈，且将图案化导磁层布设于该电感线圈内，故采用制作载板的图案化增层线路的方式将导磁材料形成于该载板中，借以提升该电感器的电气特性。
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公开(公告)号：CN117637340A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311704108.4
申请日：2023-12-12
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开电场辅助低退火温度下制备铁氧体薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1、制备LNO底电极；步骤2、制备MeFO薄膜；步骤3、在MeFO薄膜表面使用导电胶作为顶电极，确保底电极与顶电极之间不联通；步骤4、施加电场。该方法解决了现有制备工艺中退火温度过高导致能耗大的问题。还提供了一种电场辅助低退火温度下制备铁氧体薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN113192720B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110373226.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种纳米颗粒复合磁芯膜，包括铁磁金属与X’O的复合颗粒，以及包覆于复合颗粒表面的XO非晶颗粒层，复合颗粒与非晶颗粒层形成核‑壳结构；其中，铁磁金属的氧化物生成焓的绝对值＜X’的氧化物生成焓的绝对值＜X的氧化物生成焓的绝对值；所述复合磁芯膜中，铁磁金属的体积百分比为60％～80％，X’O的体积百分比为10％～30％，XO的体积百分比为10％～30％。本发明提供的一种纳米颗粒复合磁芯膜，首先通过磁控溅射形成MX’合金的表面包覆XO氧化层的结构，以较低的体积含量实现增大薄膜电阻率的目的；其次，在氧化气氛中退火处理，使得X’氧化并析出，细化磁性颗粒，引入随机各向异性，有效降低薄膜的矫顽力。
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公开(公告)号：CN111549317B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202010404674.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院空天信息创新研究院
Abstract: 一种提升钴基Heusler合金结构有序化的制备方法，包括以下步骤：样品基板清洗；低蒸汽压元素与钴基Heusler合金进行共溅射成膜；高真空退火处理。本发明提出了使用低蒸汽压元素掺杂后退火的方法来提高钴基Heusler合金薄膜材料的性能，使其具有高结晶度、低温有序化、高自旋极化率的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113421733B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN109576682B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201811497894.4
申请日：2018-12-07
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法，化学式为Y1‑xDyxMnO3，其中，x＝0.1≤y≤0.5，六方结构，空间群为P63cm。本发明在YMnO3的A位掺杂稀土离子Dy，得到Y1‑xDyxMnO3薄膜，晶胞参数图显示掺杂后晶胞参数a和c发生较大变化，拉曼散射光谱图显示，Dy3+掺杂进入YMnO3晶格替代Y3+，因为Y3+半径为0.89nm，Dy3+半径为0.91nm，在YMnO3中Y3+处于双锥六面体的中间层，中间层的改变会引起双锥六面体顶点的倾斜，改变薄膜内部自旋结构对称性，最终证明掺杂后薄膜内部结构发生畸变，自旋对称性改变，最终使磁性能提高，得到高铁磁性薄膜材料。
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公开(公告)号：CN112397289A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201911120017.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法，该集成电感包含：硅基体；嵌设在所述硅基体内的TSV微铜柱，其两端分别露出，该TSV微铜柱包含：中心端口铜柱、内侧微铜柱组、第一外侧微铜柱组及第二外侧微铜柱组；第一表层互连线圈，其包含顶部表层互连线圈、底部表层互连线圈；外表层互连铜柱；及，第二表层互连线圈，其包含顶部外表层互连线圈、底部外表层互连线圈。本发明采用改良的嵌入式非螺线管集成方案，通过低温氧化层隔离电感和硅衬底，降低衬底损耗，并通过绝缘材料支撑非螺线管结构表层互连线圈，在较小的面积内嵌入式集成多匝线圈，最终形成损耗低、杂散寄生电容小、具有高Q值的微型集成电感,同时与封装工艺兼容、机械稳定。
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公开(公告)号：CN112153884A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011124985.0
申请日：2020-10-20
Applicant: 北华大学
Abstract: 本发明涉及一种基于农林剩余物纤维的电磁屏蔽复合板及其制造方法，属于复合人造板技术领域。本发明主要采用多功能层结构设计，以农林剩余物纤维原料制备的纤维板为基材，以农林剩余物纤维驱动的碳化纤维层为导电层，加大反射作用；以碳化纤维复合高磁导率的锌铁氧体为高磁导率层，加大涡流效应，制造工艺简单、制造成本低、电磁屏蔽功能稳定。
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公开(公告)号：CN108010718B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201610929208.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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