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公开(公告)号:CN119208200A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411313532.0
申请日:2024-09-20
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片施加磁粉层和充磁退磁装置及加磁芯片的制作方法,涉及半导体技术领域,该装置包括气体存储罐、通气管道、流量计量阀、送粉器、分粒机、沉积室、主控制器和真空泵,真空泵和主控制器均与沉积室连接,沉积室与气体存储罐分别连接在通气管道的两端,通气管道上从左至右依次连接有流量计量阀、送粉器和分粒机;沉积室内从下至上依次设置有垫块、三维运动平台、充退磁装置、载物基板、芯片蓝膜、LED芯片和喷粉箱。本发明采用上述结构的一种LED芯片施加磁粉层和充磁退磁装置及加磁芯片的制作方法,可以根据需要给芯片沉积不同厚度的微型磁粉薄膜,并能给芯片充磁且其工作环境相对简单,可以在室温下进行。
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公开(公告)号:CN119086963A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411221412.8
申请日:2024-09-02
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片定向下落速度测试及电磁力标定装置,涉及半导体技术领域,包括脉冲激光器、滤波扩束准直系统、芯片下落室、激光反射系统、磁控单元、高帧率CCD相机、信号同步器、中央控制器,中央控制器与信号同步器相连接,信号同步器分别与脉冲激光器、高帧率CCD相机相连接,脉冲激光器出射的脉冲激光束经滤波扩束准直系统扩束后形成平行激光束,平行激光束从芯片下落室的顶端入射并从芯片下落室的底端出射,高帧率CCD相机接收出射的平行激光束。本发明采用上述结构的一种LED芯片定向下落速度测试及电磁力标定装置,借助粒子图像测速技术对芯片的下落速度及受力进行全方位分析。
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公开(公告)号:CN119092621A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411207816.1
申请日:2024-08-30
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁化矩形LED芯片一体式电磁定向下落机构及工艺,涉及芯片巨量转移技术领域,包括用于存储流体并提供流动环境的流动腔室、磁控下落部、转移基板,流动腔室的两端设置有供流体进出的端口,磁控下落部设置于流动腔室的中部上方,磁控下落部包括自上而下依次设置的第一磁场单元和第二磁场单元,第二磁场单元与流动腔室的顶面固定连接,流动腔室的中部底面上设置有安装槽,转移基板与安装槽适配,转移基板与磁控下落部相对设置。本发明采用上述结构和步骤的一种磁化矩形LED芯片一体式电磁定向下落机构及工艺,能够有效地根据LED芯片的倾斜角度进行筛选,确保只有满足特定倾斜角阈值的芯片被转移至基板,提高芯片转移的精度和效率。
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