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公开(公告)号：CN119208200A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411313532.0
申请日：2024-09-20
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片施加磁粉层和充磁退磁装置及加磁芯片的制作方法，涉及半导体技术领域，该装置包括气体存储罐、通气管道、流量计量阀、送粉器、分粒机、沉积室、主控制器和真空泵，真空泵和主控制器均与沉积室连接，沉积室与气体存储罐分别连接在通气管道的两端，通气管道上从左至右依次连接有流量计量阀、送粉器和分粒机；沉积室内从下至上依次设置有垫块、三维运动平台、充退磁装置、载物基板、芯片蓝膜、LED芯片和喷粉箱。本发明采用上述结构的一种LED芯片施加磁粉层和充磁退磁装置及加磁芯片的制作方法，可以根据需要给芯片沉积不同厚度的微型磁粉薄膜，并能给芯片充磁且其工作环境相对简单，可以在室温下进行。
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公开(公告)号：CN119208229A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411331903.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种流体巨量转移局部阵列LED芯片磁力纠偏装置及转移方法，涉及半导体技术领域，该装置包括X运动平台、Y运动平台、纠偏磁针组件、相机组件、芯片转移组件和纠偏平台，Y运动平台固定在X运动平台的动力输出端，纠偏磁针组件和相机组件均固定在Y运动平台的动力输出端，芯片转移组件设置在纠偏磁针组件和相机组件的正下方，纠偏平台设置在芯片转移组件的正下方。本发明采用上述结构的一种流体巨量转移局部阵列LED芯片磁力纠偏装置及转移方法，在保证成功转移的LED芯片不受影响的前提下完成对纠偏平台内转移基板上转移失败的LED芯片进行纠偏，具有调节精度高、对芯片无损伤、可重复使用的优点。
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公开(公告)号：CN118899375A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410998883.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 北京海炬科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/683 , H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种微型芯片用零偏置磁场的永磁转移装置及方法，涉及芯片巨量转移技术领域，永磁转移装置包括磁针底座、磁针保护挡板、若干永磁磁针、芯片转移基板，磁针底座中部设置有定位槽，磁针保护挡板设置于定位槽内，永磁磁针的顶端设置有导磁针头，永磁磁针阵列设置于磁针底座与磁针保护挡板之间，芯片转移基板设置于磁针保护挡板上方。本发明采用上述结构和步骤的一种微型芯片用零偏置磁场的永磁转移装置及方法，仅使用永磁磁针生成的永磁磁场，避免了电磁磁场的多次启停，在巨量转移的过程中效果更稳定，良率更高。
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公开(公告)号：CN118507420A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410539805.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京海炬科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于单头多孔阵列的气动巨量转移装置及方法，涉及芯片巨量转移技术领域，包括微孔基板、转移头、目标基板、粘性体，转移头设置于微孔基板的上方，微孔基板设置于目标基板的上方，微孔基板上均匀设置若干垂直通孔，粘性体与微孔基板的底面粘接，若干待转移芯片粘接在粘性体的下方，目标基板的上方设置有若干焊点，焊点处设置有粘性颗粒，粘性颗粒的材质为锡膏或导电胶。本发明采用上述结构和步骤的一种基于单头多孔阵列的气动巨量转移装置及方法，能够提高Mini/Micro LED芯片巨量转移的效率和良率，且不损伤基板和芯片，不污染工作环境，符合绿色生产安全理念。
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公开(公告)号：CN119086963A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411221412.8
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片定向下落速度测试及电磁力标定装置，涉及半导体技术领域，包括脉冲激光器、滤波扩束准直系统、芯片下落室、激光反射系统、磁控单元、高帧率CCD相机、信号同步器、中央控制器，中央控制器与信号同步器相连接，信号同步器分别与脉冲激光器、高帧率CCD相机相连接，脉冲激光器出射的脉冲激光束经滤波扩束准直系统扩束后形成平行激光束，平行激光束从芯片下落室的顶端入射并从芯片下落室的底端出射，高帧率CCD相机接收出射的平行激光束。本发明采用上述结构的一种LED芯片定向下落速度测试及电磁力标定装置，借助粒子图像测速技术对芯片的下落速度及受力进行全方位分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119050038A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411149588.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Mini LED芯片抓取装置及其制造方法，涉及芯片巨量转移技术领域，包括若干可拼接的磁控底座、永磁磁针、通电线圈和保护挡板，磁控底座的顶面上均匀阵列设置有若干盲孔，永磁磁针包括柱状针体和设置于柱状针体顶端中央的四棱台状针尖，柱状针体通过胶水粘接固定在盲孔内，通电线圈缠绕在磁控底座的底部外围，保护挡板覆盖在磁控底座的上方，磁控底座的顶部外围设置有凸滑条和滑槽，相邻磁控底座的凸滑条与滑槽相适配，保护挡板覆盖在磁控底座的上方。本发明采用上述结构和步骤的一种Mini LED芯片抓取装置及其制造方法，采用四棱台针尖式磁针设计，能够快速大量加工磁针，缩短加工时长，降低加工成本。
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公开(公告)号：CN118867069A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410878847.3
申请日：2024-07-02
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种梯形LED芯片电磁定向下落流磁自组装机构及方法，涉及芯片巨量转移技术领域，包括用于存储流体并提供流动环境的流动腔室、磁控下落部、转移基板，流动腔室的两端分别设置有供流体进出的端口，磁控下落部设置于流动腔室的中部上方，流动腔室与磁控下落部连通，流动腔室的中部底面上设置有安装槽，转移基板与安装槽适配，转移基板与磁控下落部相对设置。本发明采用上述结构和步骤的一种梯形LED芯片电磁定向下落流磁自组装机构及方法，通过磁控下落的方式有效解决芯片在流场中下落过程姿态难控制、下落角度不一致的问题。
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公开(公告)号：CN119133325A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411145127.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种气动针刺巨量转移机构及其刺晶减振方法，涉及芯片巨量转移技术领域，包括横梁、随动系统和针刺系统，针刺系统包括滑板、大行程电机、相机、音圈电机、针杆、气路，滑板受大行程电机驱动并通过滑轨与横梁的前端面滑动连接，音圈电机和相机并排设置于滑板的前方，针杆与音圈电机的输出轴联动，针杆与气路连通，随动系统与横梁的后端面滑动连接，随动系统包括永磁直线电机和可拆卸的质量块。本发明采用上述结构和步骤的一种气动针刺巨量转移机构及其刺晶减振方法，利用随动系统与针刺系统做同速度和同加速度的反向同步运动，削减单侧面永磁直线电机反复启停运动带来的横梁扭转振动，形成刺晶过程中局部的动量平衡。
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公开(公告)号：CN119108176A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411235819.6
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京海炬科技有限公司
IPC: H01F5/00 , H01F7/02 , H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于永磁偏置的芯片巨量转移用自解耦电磁装置及其应用，涉及芯片巨量转移技术领域，包括线圈支撑座、磁针固定底座、磁针支撑罩、电磁支撑罩，线圈支撑座的顶面中央设置有磁针容纳槽，磁针固定底座设置于磁针容纳槽内，磁针固定底座的的上方设置有铝合金底层，磁针固定底座上设置有若干永磁磁针，永磁磁针的顶端向上穿过铝合金底层，磁针容纳槽的周围设置有磁针支撑罩，磁针支撑罩的外围设置有电磁支撑罩，磁针支撑罩与电磁支撑罩之间放置通电螺线圈。本发明采用上述结构和步骤的一种基于永磁偏置的芯片巨量转移用自解耦电磁装置及其应用，通过流体场和磁场相结合的方式实现Mini/Micro LED芯片快速大批量精准转移。
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公开(公告)号：CN119092621A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411207816.1
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京海炬科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁化矩形LED芯片一体式电磁定向下落机构及工艺，涉及芯片巨量转移技术领域，包括用于存储流体并提供流动环境的流动腔室、磁控下落部、转移基板，流动腔室的两端设置有供流体进出的端口，磁控下落部设置于流动腔室的中部上方，磁控下落部包括自上而下依次设置的第一磁场单元和第二磁场单元，第二磁场单元与流动腔室的顶面固定连接，流动腔室的中部底面上设置有安装槽，转移基板与安装槽适配，转移基板与磁控下落部相对设置。本发明采用上述结构和步骤的一种磁化矩形LED芯片一体式电磁定向下落机构及工艺，能够有效地根据LED芯片的倾斜角度进行筛选，确保只有满足特定倾斜角阈值的芯片被转移至基板，提高芯片转移的精度和效率。
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