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公开(公告)号：CN116564706A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210100300.1
申请日：2022-01-27
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01F41/20 , H01F10/193 , H01F1/40 , C23C14/06 , C23C14/28
摘要： 本发明提供一种制备磁性半导体薄膜的方法，其包括如下步骤：(1)将多晶磁性半导体靶材放入薄膜沉积腔室内；(2)将作为束源材料的K单质和Mn单质分别置于两个束源炉中；(3)清洗基片，然后将清洗后的基片安装在基片台上；(4)然后，加热所述基片台进而加热所述基片；(5)通过非反应性气体控制薄膜沉积腔室的气压为6‑100Pa，然后利用分子束辅助脉冲激光沉积方法在所述基片上外延生长薄膜；(6)待薄膜生长完成后，调整薄膜沉积腔室的气压并冷却基片，得到磁性半导体薄膜(Ba1‑xKx)(Zn1‑yMny)2As2，其中，0.08
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公开(公告)号：CN114783768A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210330809.5
申请日：2022-03-30
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明公开了一种界面失配应变提升SrFeO2.0薄膜磁学性能的方法及应用，涉及材料技术应用领域。所述方法包括以下步骤：(1)用脉冲激光在单晶衬底上轰击SrFeO3靶材制备SrFeO2.5薄膜，单晶衬底与SrFeO2.5薄膜间产生界面失配应变；所述单晶衬底包括KTaO3、(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7、LaAlO3、YAlO3中的一种，所述界面失配应变的范围为‑8.0％至2.0％；所述SrFeO2.5薄膜厚度为10nm‑50nm；(2)将CaH2粉体和SrFeO2.5薄膜在高真空状态下进行密封和烧结，得到SrFeO2.0薄膜。本发明利用脉冲激光沉积和软化学拓扑结构相变的方法在不同单晶衬底制备具有 取向的SrFeO2.0/SrTiO3两层薄膜体系，其中上盖层SrTiO3薄膜为结构保护层。衬底与薄膜间的界面失配应变效应可显著改善SrFeO2.0薄膜的磁性，为高温铁磁绝缘氧化物薄膜相关的基础与应用研究提供思路。
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公开(公告)号：CN113088893A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110324953.3
申请日：2021-03-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗衬底；2)衬底固定在样品架上，所述衬底与样品架呈θ角，并且在衬底上施加磁场；3)利用高真空电子束蒸发系统，在背底真空为1.3×10‑4Pa～2.0×10‑4Pa、预熔料时电子枪电流为30mA～40mA、电压为10kV的条件下预熔料4～5min；预熔料结束后，设置蒸镀速率为0.1nm/s～0.7nm/s，在衬底上沉积软磁薄膜。本发明得到的软磁薄膜应用频率大于1GHz(最高为1.39GHz)，并且磁导率达到1000左右，得到了同时兼顾高应用频率、高磁导率的薄膜。
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公开(公告)号：CN109355625A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811470668.7
申请日：2018-12-04
申请人： 吉林师范大学
摘要： 一种在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)单晶基片上采用脉冲激光沉积CoFe2O4磁性薄膜的方法，制备薄膜颗粒致密、均匀且磁电效应明显的钴铁氧体铁磁薄膜，获得了明显的面内各向异性，外加面内磁场沿着薄膜不同方向时，薄膜的矫顽场产生了明显的变化，分别采用直流和交流电压调控磁光克尔信号的变化，结果表明薄膜异质结展示了明显的应变诱导的逆磁电耦合效应。
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公开(公告)号：CN104032263B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310756791.6
申请日：2013-12-27
申请人： 厦门钨业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁，该方法包括如下的步骤：1)稀土磁铁工件进行前处理之后，装在工件架上；2)将所述工件架送入反应室，预氧化；3)将所述工件架送入镀膜室，抽真空，将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述稀土磁铁工件进行蒸镀；4)降温，破真空，取出工件获得。该方法是通过对稀土磁铁预先进行微量氧化、而后通入M蒸气发生置换反应的方式防止稀土磁铁的过度氧化，并获得致密的MO分布薄层和与该MO分布薄层牢固连接的M层。
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公开(公告)号：CN101354945A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810037747.9
申请日：2008-05-21
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明属于磁性薄膜材料技术领域，具体为一种具有巨磁电阻效应的磁性复合有机纳米颗粒膜及其制备方法。该薄膜材料是由磁性金属材料和有机半导体材料通过共蒸发的方法制备获得，磁性金属材料纳米颗粒均匀镶嵌于有机半导体基底中，表示为(A)x(B)1－x，0.28＜x＜0.56，其中A为磁性金属材料，B为有机半导体材料。该薄膜材料可广泛用于磁传感器、磁存储、温度传感器等元器件。
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公开(公告)号：CN101163814A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680008726.3
申请日：2006-03-14
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/16 , C23C14/243 , C23C14/541 , H01F1/0571 , H01F10/126 , H01F41/0293 , H01F41/20
摘要： 在有效利用作为成膜材料的Dy、Tb的同时，通过在具有规定形状的铁－硼－稀土系的磁铁表面高速成膜来提高生产率，能以低成本制造出永磁铁。通过在具有规定形状的铁－硼－稀土系磁铁表面上形成Dy膜的成膜工序以及通过在规定温度下实施热处理，使在表面上成膜的Dy扩散到磁铁的晶界相的扩散工序制造永磁铁。在上述情况下，成膜工序由加热实施该成膜工序的处理室，使预先配置在该处理室内的Dy蒸发，在处理室内形成具有规定的蒸汽压的Dy蒸汽气氛的第1工序，以及将保持在低于处理室内的温度上的磁铁送入处理室，在该磁铁达到规定温度之前，利用处理室内和磁铁之间的温差，使Dy选择性地附着沉积到磁铁表面的第2工序构成。
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公开(公告)号：CN1213166C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN02129143.8
申请日：2002-08-19
申请人： 乐金电子(天津)电器有限公司
摘要： 本发明公开了一种带有磁铁的等离子体的连续蒸镀装置，包括工艺间、上部电极、下部电机、开卷机、卷绕机和N/S极磁铁。上部电极作为负极设置在工艺间的内部上侧；下部电极也作为负极，与上部电极保持一定间距设置在工艺间的下侧；开卷机设置在工艺间的一侧，开卷机上卷绕有带状材料，带状材料用于向上部电极和下部电极之间进行供应；卷绕机设置在工艺间的另外一侧，卷绕机用于卷绕经过上部电极和下部电极之间进行等离子体蒸镀之后的材料；N/S极磁铁交替设置在上部电极和下部电极的后面，上下电极上设置的磁极是N极对着N极，S极对着S极。利用产生的磁场提高反应气体的离子化率。增加了电子与反应气体之间的冲撞概率，提高了蒸镀效率。
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公开(公告)号：CN1581386A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN03133649.3
申请日：2003-08-07
申请人： 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司
IPC分类号： H01F41/20
摘要： 30纳米磁性薄膜制造技术，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按1：2.3的比例混合备用；用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10－6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的Ni、Co蒸发料溶化后开始蒸发，蒸发速率控制到0.05纳米/秒，厚度控制在30纳米以下，然后，经过无氧化结晶化处理，使之成为具有各向异性的磁性体薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。
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