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30纳米磁性薄膜的制造技术
摘要:
30纳米磁性薄膜制造技术,利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术,其特征是选取高纯度的Ni、Co,按1:2.3的比例混合备用;用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀:当真空度达到1.0×10-6乇时,加热承片台,20分钟达到450℃,恒温5分钟;待蒸发舟中的Ni、Co蒸发料溶化后开始蒸发,蒸发速率控制到0.05纳米/秒,厚度控制在30纳米以下,然后,经过无氧化结晶化处理,使之成为具有各向异性的磁性体薄膜。经过半导体平面工艺加工后,制成微功耗磁传感器。
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