发明公开
CN1581386A 30纳米磁性薄膜的制造技术
失效 - 权利终止
- 专利标题: 30纳米磁性薄膜的制造技术
- 专利标题(英): 30 nano magnetic film manufacturing technique
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申请号: CN03133649.3申请日: 2003-08-07
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公开(公告)号: CN1581386A公开(公告)日: 2005-02-16
- 发明人: 孙仁涛 , 王晓雯 , 吴东阁 , 李绍恒 , 李洪儒
- 申请人: 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈阳高新区浑南产业区软件园B座306
- 专利权人: 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司
- 当前专利权人: 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈阳高新区浑南产业区软件园B座306
- 代理机构: 沈阳科威专利代理有限责任公司
- 代理商 崔红梅
- 主分类号: H01F41/20
- IPC分类号: H01F41/20
摘要:
30纳米磁性薄膜制造技术,利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术,其特征是选取高纯度的Ni、Co,按1:2.3的比例混合备用;用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀:当真空度达到1.0×10-6乇时,加热承片台,20分钟达到450℃,恒温5分钟;待蒸发舟中的Ni、Co蒸发料溶化后开始蒸发,蒸发速率控制到0.05纳米/秒,厚度控制在30纳米以下,然后,经过无氧化结晶化处理,使之成为具有各向异性的磁性体薄膜。经过半导体平面工艺加工后,制成微功耗磁传感器。
公开/授权文献
- CN1249743C 30纳米磁性薄膜的制造方法 公开/授权日:2006-04-05