公开(公告)号：CN1581386A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN03133649.3

申请日：2003-08-07

申请人： 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司

发明人： 孙仁涛 ,  王晓雯 ,  吴东阁 ,  李绍恒 ,  李洪儒

IPC分类号： H01F41/20

摘要： 30纳米磁性薄膜制造技术，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按1：2.3的比例混合备用；用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10－6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的Ni、Co蒸发料溶化后开始蒸发，蒸发速率控制到0.05纳米/秒，厚度控制在30纳米以下，然后，经过无氧化结晶化处理，使之成为具有各向异性的磁性体薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。

公开(公告)号：CN1249743C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03133649.3

申请日：2003-08-07

申请人： 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司

发明人： 孙仁涛 ,  王晓雯 ,  吴东阁 ,  李绍恒 ,  李洪儒

IPC分类号： H01F41/20

摘要： 30纳米磁性薄膜的制造方法，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶处理工艺，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按重量比1∶2.3的比例混合备用，用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10-6乇时，加热放有基片的承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的上述比例的Ni、Co蒸发料溶化后，在Si片的绝缘膜上开始蒸镀，蒸发速率控制在0.05纳米/秒，蒸发形成的磁性薄膜厚度控制在30纳米以下，然后通过无氧化结晶处理，使蒸发形成的磁性薄膜成为具有各向异性的磁性薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。