公开(公告)号：CN116564646A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310416770.3

申请日：2023-04-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  吴昌金 ,  邬传健 ,  余忠 ,  兰中文 ,  蒋晓娜 ,  李启帆 ,  何宗胜 ,  马泽南

IPC: H01F10/08 ,  H01F41/20

Abstract: 高共振频率高磁导率软磁薄膜及制备方法，涉及薄膜制备技术领域。本发明的薄膜包括衬底和设置于衬底表面的软磁图形层，其特征在于，所述软磁图形层包括第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列，第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列按列构成交错互补，第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列皆由预定数量的菱形单元正交排列构成，同一列的菱形单元中，任意相邻两个菱形单元的长对角线相连；所有的菱形单元形状和尺寸相同。本发明具有高应用频率和较高磁导率的优点。

公开(公告)号：CN113088894A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110324972.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  张婧 ,  何宗胜 ,  邬传健 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/54

Abstract: 一种利用应力诱导提高软磁薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗柔性衬底；2)清洗后的柔性衬底放入高真空电子束蒸发系统，柔性衬底弯曲后固定在样品架上；3)抽真空，开始预熔料，电子枪的电流为30～40mA，电压为10kV，时间为4～5min；预熔料结束后，蒸镀速率为0.1～0.7nm/s，在弯曲的柔性衬底上沉积软磁薄膜。本发明制得的软磁薄膜，当柔性衬底由凹形(凸形)变为平整时，会在薄膜中引入张应力(压应力)，与未引入应力相比，由于磁致伸缩效应，软磁薄膜表现出明显的磁各向异性，使得薄膜的应用频率提高至1GHz以上，并同时保持较高的磁导率(μ′100MHz>1000)。

公开(公告)号：CN113088893A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110324953.3

申请日：2021-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  张婧 ,  何宗胜 ,  余忠 ,  邬传健 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/14 ,  H01F41/20

Abstract: 一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗衬底；2)衬底固定在样品架上，所述衬底与样品架呈θ角，并且在衬底上施加磁场；3)利用高真空电子束蒸发系统，在背底真空为1.3×10‑4Pa～2.0×10‑4Pa、预熔料时电子枪电流为30mA～40mA、电压为10kV的条件下预熔料4～5min；预熔料结束后，设置蒸镀速率为0.1nm/s～0.7nm/s，在衬底上沉积软磁薄膜。本发明得到的软磁薄膜应用频率大于1GHz(最高为1.39GHz)，并且磁导率达到1000左右，得到了同时兼顾高应用频率、高磁导率的薄膜。