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公开(公告)号:CN119176714A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411368264.2
申请日:2024-09-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 一种C波段超低损耗自偏置六角旋磁铁氧体材料,属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体材料包括重量比为0.1~10的BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体材料和LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体材料;掺杂剂占铁氧体材料的重量百分比,以氧化物计算:0.3~0.7wt%La2O3、0.4~0.8wt%SiO2和0.5~0.9wt%SrTiO3。本发明在低损耗BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体颗粒表面生长兼具高Mr/Ms和Hc特性的LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体,研制兼具高而可调各向异性场Ha、高矫顽力Hc和剩磁比Mr/Ms、超低铁磁共振线宽△H和介电损耗tanδε特征的六角旋磁铁氧体材料,满足C波段微型集成器件低损耗宽带宽的工程化需求问题。
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公开(公告)号:CN115579203B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202211287484.3
申请日:2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种X波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料及其制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、YIG铁氧体和掺杂剂,SrM铁氧体包括SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3和Fe2O3,YIG铁氧体包括Y2O3、Bi2O3、ZrO2、CaCO3、V2O5和Fe2O3,YIG铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1:(0.11~9);掺杂剂包括SiO2、H3BO3、CaCO3、Bi2O3和BaTiO3。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜的饱和磁化强度、适宜的各向异性场、高的矫顽力、高剩磁比、低的铁磁共振线宽和高的介电常数特性。
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公开(公告)号:CN118184330A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410317164.0
申请日:2024-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/34
Abstract: 一种Ka波段高功率旋磁锂锌铁氧体及其制备方法,属于微波铁氧体材料制备技术领域。包括主料和添加剂,主料为Li0.347+0.5xZn0.3Ni0.006Mn0.056TixFe2.291‑1.5xO4,添加剂为:Bi2O3、Sb2O3和Co2O3。本发明采用的主配方体系有利于获得低矫顽力和剩磁温度系数;通过优化烧结工艺,借助两种添加剂的双重作用,使铁氧体样品显微形貌均匀,晶粒大小均匀适中,有利于提高材料的功率承受能力和烧结体密度,大幅降低材料的气孔率并提升材料自旋波线宽,有助于获得低损耗和低矫顽力的Ka波段高功率铁氧体开关和移相器用锂锌铁氧体材料。
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公开(公告)号:CN118184328A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410292926.6
申请日:2024-03-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 一种低温烧结高频低损耗MnZn功率铁氧体,属于铁氧体制备技术领域。包括主成分与辅助成分,主成分按氧化物摩尔百分数计,包括54.5~56.5mol%Fe2O3和4.5~7.5mol%ZnO,其余为MnO;以主成分预烧后的预烧料为基准,辅助成分包括0.001~0.05wt%Sb2O3、0.01~0.03wt%Nb2O5、0.1~0.4wt%Co2O3、0.02~0.10wt%CaCO3和0.00~0.01wt%SiO2。本发明采用具有高电阻率与低熔点的Sb2O3作为助熔剂,通过Sb2O3取代传统的V2O5,在降低烧结温度的同时改善MnZn铁氧体的高频损耗,对低温烧结MnZn铁氧体具有重要意义。
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公开(公告)号:CN118145978A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410235524.2
申请日:2024-03-01
Applicant: 电子科技大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 一种高介电常数小线宽钇铁石榴石铁氧体材料制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明通过对石榴石结构中十二面体Y3+、八面体Fe3+的取代,采用二次预烧工艺和先低转速后高转速的三次球磨工艺,仅需三次球磨、一次造粒、一次烧结制得了钇铁石榴石铁氧体材料。本发明采用二次预烧的制备工艺,粉料的活性更好,烧结阶段固相反应完成程度更高,材料性能更优异;三次球磨采用先低转速后高转速的工艺,增强三次球磨粉料的粒度均匀性;制得的铁氧体具有较高的介电常数ε'>20、较低的铁磁共振线宽ΔH≤25Oe和较低的介电损耗tanδε<1×10‑4。
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公开(公告)号:CN117966135A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410220438.4
申请日:2024-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 江西尚朋电子科技有限公司
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明提供的一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,属于薄膜制备技术领域。本发明基于氧化还原反应原理,利用旋转喷涂设备将氧化液和还原液按一定比例通过超声雾化系统均匀地附着于玻璃衬底上,在完成一系列化学反应后形成连续且致密的铁氧体薄膜,通过改变还原液中氯化亚铁的浓度,控制不同晶面的沉积速率,进而调控NiZn铁氧体薄膜的生长取向。经过以上工艺低温沉积制备出的NiZn铁氧体薄膜能够实现与半导体工艺的兼容,同时取向由NiZn铁氧体的(311)取向逐渐沿(222)择优取向生长,显微结构逐渐形成明显的三角形晶粒,从而使得薄膜生长更加均匀,薄膜质量得到显著提高。
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公开(公告)号:CN116396069B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202310298534.6
申请日:2023-03-24
Applicant: 电子科技大学 , 四川京都龙泰科技有限公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 一种非磁场取向的织构化六角铁氧体材料的制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明首先预烧生成纯净的BaM和Co2Y粉末,以一定比例混合后加入Bi2O3和SiO2添加剂进行高能球磨;球磨得到的亚微米BaM和Co2Y粉末在烧结过程中反应生成Co2Z微晶,制得织构化六角铁氧体材料。本发明提供的一种非磁场取向的织构化六角铁氧体材料的制备方法,制备工艺为传统固相反应法,操作简单且工艺成熟;不需要通过旋转磁场取向制备织构化六角铁氧体,简化生产设(56)对比文件Textured Z-type hexaferritesBa3Co2Fe24O41ceramics withhighpermeability by reactive templatedgrain growth method.Journal of theEuropean Ceramic Society.2016,第36卷2519–2524.荆玉兰;贾利军;张怀武.预烧、烧结及预处理对Z型六角铁氧体结构与性能的影响.磁性材料及器件.2005,(第06期),46-47+52.
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公开(公告)号:CN117393262A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311224393.X
申请日:2023-09-21
Applicant: 电子科技大学 , 乳源东阳光磁性材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍铁氧体薄膜低温制备及择优取向调控方法,属于薄膜制备技术领域。本发明首先采用NaNO2氧化剂、乙酸盐缓冲剂配置氧化反应液;采用可溶性二价铁盐、可溶性二价镍盐配置还原反应液;然后利用旋转喷涂技术制备低温沉积织构化的镍铁氧体薄膜。本发明通过提高氧化剂的浓度,影响不同晶面对离子的吸附,优化镍铁氧体薄膜晶粒生长过程,为体系提供足够多的能量沿着简单晶面(400)排列形成织构,稳定生长正方形柱状晶粒,晶粒尺寸分布更加均匀且不团聚,提高了旋转喷涂法制备镍铁氧体薄膜的结晶性能、显微结构、磁性能,降低了薄膜表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN117367163A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311144266.9
申请日:2023-09-05
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: F27D21/00 , H01C17/30 , H01C17/065 , H01C17/28
Abstract: 本发明公开了一种厚膜电阻标准试烧方法,属于电子元器件厚膜电阻领域,可应用于厚膜电阻链式烧结炉的炉温监控。设计电极和电阻印刷方案图,然后在固定的制备工艺条件下依次印刷于96%Al2O3陶瓷基片上。厚膜电阻的尺寸为1mm*1mm和2mm*2mm,设计为上下式布局,上半区有204个厚膜电阻,下半区有48个厚膜电阻,共计252个厚膜电阻,有序分布在基片上。当厚膜电阻链式烧结炉开机烧结后,使用飞针测试系统测试烧结后的厚膜电阻阻值,将其与在850℃标准烧结温度烧结条件下测得的厚膜电阻阻值作比较,当两者之间变化率小于6%时视作厚膜电阻链式烧结炉温度正常。本发明能够有效地监控厚膜电阻链式烧结炉的温度状态,从而有效提高厚膜电阻的生产效率。
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公开(公告)号:CN116564646A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310416770.3
申请日:2023-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 高共振频率高磁导率软磁薄膜及制备方法,涉及薄膜制备技术领域。本发明的薄膜包括衬底和设置于衬底表面的软磁图形层,其特征在于,所述软磁图形层包括第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列,第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列按列构成交错互补,第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列皆由预定数量的菱形单元正交排列构成,同一列的菱形单元中,任意相邻两个菱形单元的长对角线相连;所有的菱形单元形状和尺寸相同。本发明具有高应用频率和较高磁导率的优点。
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