公开(公告)号：CN108376736A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810099861.8

申请日：2018-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑洪植 ,  罗曼·凯普斯肯 ,  唐学体 ,  德米特罗·埃帕尔科夫

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01F10/123 ,  H01F10/126 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F41/303 ,  H01L27/222 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了磁装置及用于设置磁装置的方法。描述了一种包括多个磁性结和至少一个自旋轨道相互作用(SO)活性层的磁存储器。每个磁性结包括被钉扎层、自由层和位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层具有倾斜的易磁化轴和高阻尼常数中的至少一种。倾斜的易磁化轴与垂直于平面方向成非零度锐角。高阻尼常数至少为0.02。所述至少一个SO活性层与自由层相邻并且输运平面内电流。所述至少一个SO活性层由于电流而对自由层施加SO力矩。利用SO力矩使自由层是可切换的。

公开(公告)号：CN105741682A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610320041.8

申请日：2016-05-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 杨静 ,  蔡鹏

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/33

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B15/04 ,  B32B2457/208 ,  G09F9/33 ,  H01F1/0063 ,  H01F7/0252 ,  H01F10/126 ,  H01F10/16 ,  H01F41/16 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明涉及一种显示面板及显示装置，用以解决现有技术中的显示面板采用光学胶贴敷偏光片和触摸屏等各功能膜层，由于贴敷的光学胶厚度较大，进而导致显示面板较厚的问题，该显示面板包括：依次层叠设置的各功能膜层，分别设置在各功能膜层的最上层和最下层、且能够通过磁力相互吸引的两个膜层。本发明在显示面板的最上层和最下层分别设置有能够通过磁力相互吸引的两个膜层，通过磁力固定显示面板的各个膜层，取代了现有显示面板中的光学胶，降低了显示面板的厚度，进一步实现了显示面板的超薄设计。

公开(公告)号：CN104124017B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410160457.9

申请日：2014-04-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和（Y、Ce）-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和（Y、Ce）-T-B系结晶层的层叠构造，一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到（Y、Ce）-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将晶格畸变小的Ce-T-B系结晶层加到Y-T-B系结晶层从而可以得到高的矫顽力。

公开(公告)号：CN104081475A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280068936.7

申请日：2012-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 守谷浩志

IPC: H01F1/055 ,  H01F10/10 ,  H01F10/30

CPC classification number: H01F7/02 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/40 ,  H01F1/42 ,  H01F10/126 ,  H01F41/32

Abstract: 本发明目的在于提供矫顽力高的稀土磁铁的结构。为了解决该课题，本发明的稀土磁铁，其特征在于，层叠通过共价键而键合的元素的片(100)与包含过渡金属元素的层(200)，稀土元素位于所述片(100)的面内。

公开(公告)号：CN103875035A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280046629.9

申请日：2012-09-20

Applicant: 山阳特殊制钢株式会社

Inventor： 泽田俊之 ,  松原庆明

IPC: G11B5/738 ,  C23C14/34 ,  G11B5/851

CPC classification number: C22C19/07 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851 ,  H01F10/126 ,  H01F41/183

Abstract: 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，相对于室温的饱和磁通密度，其在高温具有高饱和磁通密度。该合金包含按原子％计的：一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素；Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和B中的一种或两种以上，或／和C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn和W中的一种或两种以上；以及余量的Co、Fe，以及不可避免的杂质；并且满足以下表达式的全部：(1)0.5≤TLA≤15；(2)5≤TLA+TAM；和(3)TLA+TAM+TNM≤30(其中TLA是所述一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素的加入量的总百分数；TAM等于Y+Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+B／2的加入量的总百分数，其中，仅对于B，使用其1／2的值；并且TNM等于C+Al+Si+P+Cr+Mn+Ni+Cu+Zn+Ga+Ge+Mo+Sn+W的加入量的总百分数)。

公开(公告)号：CN101660126A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910170391.0

申请日：2006-03-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 永田浩 ,  新垣良憲

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

CPC classification number: C23C14/16 ,  C23C14/243 ,  C23C14/541 ,  H01F1/0571 ,  H01F10/126 ,  H01F41/0293 ,  H01F41/20

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法，提供一种真空处理装置，其具有：可真空排气的处理室，加热所述处理室内的加热手段，以及在所述处理室内将散块体蒸发材料和被处理物间隔配置并保持的保持手段；保持所述被处理物的保持手段由下述部件构成，其允许因加热所述处理室内而蒸发的蒸发材料通过，并可并列设置多个所述被处理物。所述保持手段的构成使所述金属蒸发材料和被处理物在上下方向上间隔配置。所述保持手段由不与因加热所述处理室内而蒸发的材料发生反应的材料构成。

公开(公告)号：CN1734567A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510084537.1

申请日：2005-07-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村上元良

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84 ,  G11B11/10 ,  G11B11/105

CPC classification number: H01F41/18 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/851 ,  G11B11/10504 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/0029 ,  H01F10/126

Abstract: 提供一种在盘基板(11)上，至少具备记录层(15)，记录层(15)与氢结合，具有与稀土类金属局部存在后稳定的结合状态的构成之磁光记录介质及其制造方法。由此，通过增大记录层(15)的磁各向异性，可形成稳定的膜结构，由此在减小标记长度的情况下，也可使记录磁区稳定，不使再生信号振幅下降，可大幅度提高记录密度。解决了在高密度记录的情况下，具有难以稳定形成微小记录磁区的课题。

公开(公告)号：CN104124019A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410168557.6

申请日：2014-04-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且能够在低温下制造的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B系结晶层和Ce-T-B结晶层，从而形成R1-T-B系结晶层和Ce-T-B系结晶层的层叠构造，可以在维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场的同时由Ce-T-B系结晶层降低结晶化温度。

公开(公告)号：CN104067357A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280060188.8

申请日：2012-10-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 川下宜郎 ,  高岛和彦 ,  南部俊和

IPC: H01F1/06 ,  C22C38/00 ,  C23C24/04 ,  H01F1/055 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  H01F41/16

CPC classification number: H01F1/01 ,  B22F3/115 ,  B22F5/006 ,  B22F7/04 ,  C22C38/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C23C24/04 ,  H01F1/059 ,  H01F10/126 ,  H01F41/16 ,  Y10T428/12014

Abstract: 本发明提供一种同时满足厚膜化、高密度化和磁特性(特别是剩余磁通密度)的提高的磁铁。其可通过具有如下特征的磁铁厚膜来实现，即，含有由式1：R－M－X表述的稀土类磁铁相，在式1中，R含有Nd、Sm中的至少一种，M含有Fe、Co中的至少一种，X含有N、B中的至少一种，在所述R以Nd为主要成分的情况下，具有理论密度的80％以上且不足95％，在所述R以Sm为主要成分的情况下，具有理论密度的80％以上且不足97％。

公开(公告)号：CN104011811A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280063828.0

申请日：2012-12-27

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 岸本秀史 ,  佐久间纪次 ,  矢野正雄 ,  崔伟斌 ,  高桥有纪子 ,  宝野和博

IPC: H01F10/30 ,  B82Y25/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F10/14

CPC classification number: H01F7/02 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0311 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供一种兼具高的顽磁力和剩余磁化，最大能积也提高了的纳米复合磁铁。该纳米复合磁铁的特征在于，使非铁磁性相介在于稀土类磁铁组成的硬磁性相、和软磁性相之间，所述非铁磁性相与这些硬磁性相以及软磁性相的任一项都不反应。作为典型的方式，硬磁性相包含Nd2Fe14B，软磁性相包含Fe或者Fe2Co，非铁磁性相包含Ta。优选包含Ta的非铁磁性相的厚度为5nm以下、包含Fe或者Fe2Co的软磁性相的厚度为20nm以下。更优选在Nd2Fe14B硬磁性相的晶粒边界扩散有Nd、或者Pr、或者Nd与Cu、Ag、Al、Ga、Pr中的任一种的合金、或者Pr与Cu、Ag、Al、Ga中的任一种的合金。